LED封裝技術(shù)的九個(gè)趨勢
1)、采用大面積芯片封裝
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/200118.htm用1×1mm2 的大尺寸芯片取代現有的0.3×0.3mm2 的小芯片封裝,在芯片注入電流密度不能大幅度提高的情況下,是一種主要的技術(shù)發(fā)展趨勢。
2)、芯片倒裝技術(shù)
解決電極擋光和藍寶石不良散熱問(wèn)題,從藍寶石襯底面出光。在p電極上做上厚層的銀反射器,然后通過(guò)電極凸點(diǎn)與基座上的凸點(diǎn)鍵合?;蒙崃己玫腟i材料制得,并在上面做好防靜電電路。根據美國Lumileds公司的結果,芯片倒裝約增加出光效率1.6倍。芯片散熱能力也得到大幅改善,采用倒裝技術(shù)后的大功率發(fā)光二極管的熱阻可低到12~15℃/W。
3)、金屬鍵合技術(shù)
這是一種廉價(jià)而有效的制作功率LED的方式。主要是采用金屬與金屬或者金屬與硅片的鍵合技術(shù),采用導熱良好的硅片取代原有的GaAs或藍寶石襯底,金屬鍵合型LED具有較強的熱耗散能力。
4)、開(kāi)發(fā)大功率紫外光LED
UV LED配上三色熒光粉提供了另一個(gè)方向,白光色溫穩定性較好,使其在許多高品質(zhì)需求的應用場(chǎng)合(如節能臺燈)中得到應用。這樣的技術(shù)雖然有種種的優(yōu)點(diǎn),但仍有相當的技術(shù)難度,這些困難包括配合熒光粉紫外光波長(cháng)的選擇、UV LED制作的難度及抗UV封裝材料的開(kāi)發(fā)等等。
5)、開(kāi)發(fā)新的熒光粉和涂敷工藝
熒光粉質(zhì)量和涂敷工藝是確保白光LED質(zhì)量的關(guān)鍵。熒光粉的技術(shù)發(fā)展趨勢是開(kāi)發(fā)納米晶體熒光粉、表面包覆熒光粉技術(shù),在涂布工藝方面發(fā)展熒光粉均勻的熒光板技術(shù),將熒光粉與封裝材料混合技術(shù)。
6)、開(kāi)發(fā)新的封裝材料
開(kāi)發(fā)新的安裝在LED芯片的底板上的高導熱率的材料,從而使LED芯片的工作電流密度約提高5~10倍。就目前的趨勢看來(lái),金屬基座材料的選擇主要是以高熱傳導系數的材料為組成,如鋁、銅甚至陶瓷材料等,但這些材料與芯片間的熱膨脹系數差異甚大,若將其直接接觸很可能因為在溫度升高時(shí)材料間產(chǎn)生的應力而造成可靠性的問(wèn)題,所以一般都會(huì )在材料間加上兼具傳導系數及膨脹系數的中間材料作為間隔。
原來(lái)的LED有很多光線(xiàn)因折射而無(wú)法從LED芯片中照射到外部,而新開(kāi)發(fā)的LED在芯片表面涂了一層折射率處于空氣和LED芯片之間的硅類(lèi)透明樹(shù)脂,并且通過(guò)使透明樹(shù)脂表面帶有一定的角度,從而使得光線(xiàn)能夠高效照射出來(lái),此舉可將發(fā)光效率大約提高到了原產(chǎn)品的2倍。
目前對于傳統的環(huán)氧樹(shù)脂其熱阻高,抗紫外老化性能差,研發(fā)高透過(guò)率,耐熱,高熱導率,耐UV和日光輻射及抗潮的封裝樹(shù)脂也是一個(gè)趨勢。
在焊料方面,要適應環(huán)保要求,開(kāi)發(fā)無(wú)鉛低熔點(diǎn)焊料,而且進(jìn)一步開(kāi)發(fā)有更高導熱系數和對LED芯片應力小的焊料是另一個(gè)重要的課題。
7)、多芯片型RGB LED
將發(fā)出紅、藍、綠三種顏色的芯片,直接封裝在一起配成白光的方式,可制成白光發(fā)光二極管。其優(yōu)點(diǎn)是不需經(jīng)過(guò)熒光粉的轉換,藉由三色晶粒直接配成白光,除了可避免因為熒光粉轉換的損失而得到較佳的發(fā)光效率外,更可以藉由分開(kāi)控制三色發(fā)光二極管的光強度,達成全彩的變色效果(可變色溫),并可藉由芯片波長(cháng)及強度的選擇得到較佳的演色性。利用多芯片RGB LED封裝型式的發(fā)光二極管,很有機會(huì )成為取代目前使用CCFL的LCD背光模塊中背光源的主要光源之一。
8)、多芯片集成封裝
目前大尺寸芯片封裝還存在發(fā)光的均勻和散熱等問(wèn)題亟待解決。采用常規芯片進(jìn)行高密度組合封裝的功率型LED可以獲得較高發(fā)光通量,是一種切實(shí)可行很有推廣前景的功率型LED固體光源。小芯片工藝相對成熟,各種高熱導絕緣夾層的鋁基板便于芯片集成和散熱。
9)、平面模塊化封裝
平面模塊化封裝是另一個(gè)發(fā)展方向,這種封裝的好處是由模塊組成光源,其形狀,大小具有很大的靈活性,非常適合于室內光源設計,芯片之間的級聯(lián)和通斷保護是一個(gè)難點(diǎn)。大尺寸芯片集成是獲得更大功率LED的可行途徑,倒裝芯片結構的集成,優(yōu)點(diǎn)或許更多一些。
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