一種OTP存儲器片上時(shí)序信號產(chǎn)生電路的設計
當EN為低電平時(shí),屏蔽ATD_OUT信號,脈沖寬度調整電路不工作;
當EN為高電平,但是ATD_OUT沒(méi)有低電平脈沖輸入(即地址信號沒(méi)有變化),脈沖寬度調整電路不工作;
當EN為高電平,且ATD_OUT有低電平脈沖輸入(即地址信號有變化),脈沖寬度調整電路正常工作。下面介紹其工作原理,N0~N8代表NMOS管、P0~P6代表PMOS管。本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/193301.htm
第一,EN為高電平且ATD_OUT端口輸入低電平脈沖,則NET0上為低電平脈沖信號,低電平到來(lái)時(shí)先將P0、P1開(kāi)啟,將NET1、NET2拉到VDD,使N2、N4開(kāi)啟,從而將WOUT和NET3拉到GND,迫使N6管關(guān)斷;同時(shí),NET0上的低電平脈沖經(jīng)過(guò)反相器INV0后使NET4為一個(gè)高電平脈沖,迫使N8開(kāi)啟一個(gè)高電平脈沖寬度的時(shí)間(此處為2.5ns),將NET5拉到GND;因為P6是常開(kāi)的,只要N6管關(guān)斷,NET5的電位就會(huì )逐漸被抬升,所以增加N8來(lái)放電NET5。
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