LTE多頻多模風(fēng)潮引爆 手機射頻前端設計改造

　　手機射頻前端(RFFront-end)將轉向高整合及薄型封裝設計。隨著(zhù)長(cháng)程演進(jìn)計劃(LTE)多頻多模設計熱潮興起，智慧型手機射頻前端不僅面臨多天線(xiàn)或多頻段干擾，以及設計空間吃緊的挑戰，還須支援載波聚合(CarrierAggregation,CA)增進(jìn)訊號接收能力，因而牽動(dòng)相關(guān)晶片開(kāi)發(fā)商加緊部署新一代射頻制程，并改進(jìn)單晶微波積體電路(MMIC)、射頻開(kāi)關(guān)等元件的功能整合度和占位體積，從而滿(mǎn)足手機制造商更加嚴格的規格要求。

　　英飛凌應用工程暨技術(shù)行銷(xiāo)總監HeissHeinrich表示，隨著(zhù)行動(dòng)資訊傳輸量大增，下一代多頻多模LTE智慧型手機將側重射頻前端設計，以提升天線(xiàn)效能，并解決功耗和頻段干擾問(wèn)題，同時(shí)也將進(jìn)一步導入電信商要求的載波聚合功能。因此，射頻晶片商亦須精進(jìn)制程、功能整合度和封裝技術(shù)，才能因應手機廠(chǎng)對射頻相關(guān)元件愈來(lái)愈嚴格的要求。

　　英飛凌應用工程暨技術(shù)行銷(xiāo)總監HeissHeinrich提到，英飛凌未來(lái)將持續推出更高整合度的射頻前端解決方案。

　　Heinrich也強調，目前英飛凌已成為手機射頻暨電路保護裝置市場(chǎng)的龍頭，為搶占LTE多頻多模系統設計先機，近期已采用第八代矽鍺碳異質(zhì)雙極電晶體(SiGe:CHBT)技術(shù)，分別針對3G/4G及全球衛星定位系統(GPS)等應用，率先開(kāi)發(fā)出高整合度低雜訊放大器濾波器(LNA-Filter)MMIC;同時(shí)也發(fā)表新的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)射頻開(kāi)關(guān)，全面提升手機在高雜訊環(huán)境下的訊號接收和處理能力。

　　英飛凌亞太區應用工程主管蔣志強補充，智慧型手機升級LTE多頻多模規格，須增加天線(xiàn)、開(kāi)關(guān)和放大器數量才能支援更多頻段，因此如何縮減手機射頻前端的印刷電路板(PCB)占位空間，已成為晶片商首要克服的議題;再加上手機須兼顧高傳輸效能、輕薄與長(cháng)效電力，更使MMIC晶片設計面臨極大考驗。

　　此外，手機射頻前端日益復雜，元件彼此之間亦將產(chǎn)生強烈的干擾，影響系統效能，因此英飛凌遂積極發(fā)展雙極矽鍺碳制程，并逐步導入各種薄型封裝方案，確保射頻元件達成精巧尺寸和優(yōu)良的線(xiàn)性度表現。

　　Heinrich指出，透過(guò)該公司第八代雙極矽鍺碳制程將能提高低雜訊放大器的靈敏度，而薄型封裝則可降低射頻模組和開(kāi)關(guān)的諧波生成，更進(jìn)一步改善行動(dòng)裝置內部的多天線(xiàn)和多頻段干擾問(wèn)題。

　　事實(shí)上，雙極矽鍺碳技術(shù)不僅有助打造LTE多頻多模系統，亦適用于60GHz以上超高頻應用，可實(shí)現高效率、Gbit/s以上速度的點(diǎn)對點(diǎn)(Point-to-Point)通訊及資料傳輸，正逐漸在高階行動(dòng)裝置的射頻應用領(lǐng)域大放異彩;隨著(zhù)各種要求小型、高效能且低功耗的射頻前端設計崛起，該技術(shù)更可望協(xié)助英飛凌持續擴張市場(chǎng)影響力。