集成電路Cu互連線(xiàn)的XRD研究
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隨著(zhù)芯片集成度的不斷提高，Cu已經(jīng)逐漸取代A1成為ULSI互連中的主流互連材料。Cu電沉積層的性質(zhì)取決于其結構，在電結晶過(guò)程中，Cu鍍層由于不同晶面的生長(cháng)速度不同而導致織構化，表現出不同的性能。國內有關(guān)Cu鍍層織構的研究主要集中在冶金級電鍍和PCB布線(xiàn)方面，幾乎沒(méi)有對于集成電路Cu互連線(xiàn)織構的文獻報道。PCB中線(xiàn)路的特征尺寸為幾十微米，而芯片中Cu互連的特征尺寸是1μm，因此對亞微米級厚度Cu鍍層的性能研究顯得尤為必要。
不同晶面擇優(yōu)對集成電路Cu互連線(xiàn)性能的影響很大。有研究結果表明，Cu(111)晶面抗電遷移性能是Cu(200)晶面的4倍，這可能是由于其致密結構決定的。Cu鍍層晶面的擇優(yōu)情況與電沉積條件、添加劑、鍍層厚度以及襯底等因素密切相關(guān)。本文針對IC工業(yè)中主要使用的硫酸鹽電鍍Cu體系，使用X射線(xiàn)衍射(XRD)研究Cu鍍層織構與電沉積條件等因素之間的關(guān)系。
1 實(shí)驗
本文中使用了兩種si片：第一種是p型(100)Si片，首先在Si片上PECVD(IConcept One 200 mmDielectric System，Novellus)淀積800 nm Si02介質(zhì)層，然后用PVD(Invoa 200，Novellus)濺射25 nm的TaN／Ta擴散阻擋層，再用PVD濺射50 nm的Cu籽晶層，最后在籽晶Cu上電鍍Cu；第二種是n型(100)Si片，首先在Si片上用PVD濺射5 nm的TaSiN擴散阻擋層，然后用PVD濺射5 nm的Ru層，在Ru層上再電鍍Cu。Ru是一種過(guò)渡金屬，電阻率7μΩ?cm，熔點(diǎn)2 300℃，是最近國際上無(wú)籽晶Cu電鍍的一個(gè)研究熱點(diǎn)。
電鍍液為標準VMS(virgin make―up solution)溶液，其成分為，Cu2+17．5 g／L，H2S04175 g／L，Cl一50 mg／L，加速劑2 mL／L，抑制劑8 mL／L和整平劑1．5 mL／L(添加劑均來(lái)自美國Enthone公司)。Cl一能提高鍍層光亮度和平整性，降低鍍層的內應力，增強抑制劑的吸附；加速劑通常是含S或其他官能團的有機物，包括硫脲及其衍生物，它的作用是促進(jìn)Cu的成核，使各晶面生長(cháng)速度趨于均勻；抑制劑包括聚乙二醇(PEG)、聚丙烯二醇和聚乙二醇的共聚物等，它的作用是和Cl離子一起在陰極表面形成一層連續膜以阻止Cu的沉積；整平劑通常是雜環(huán)化合物，一般含有N原子，它的作用是降低鍍層表面粗糙度。
實(shí)驗中使用方波脈沖。除了不同厚度的織構實(shí)驗，其余實(shí)驗均通過(guò)設置不同的電鍍時(shí)間將Cu鍍層厚度較嚴格地控制在l μm。
織構系數以晶面(hkl)的織構系數TC(texture coefficient)來(lái)表征晶面擇優(yōu)程度
式中：I(hkl)、I0(hkl)分別表示沉積層試樣和標準試樣(hkl)晶面的衍射線(xiàn)強度；n為衍射峰個(gè)數。當各衍射面的TC值相同時(shí)，晶面取向是無(wú)序的；如果某個(gè)(hk1)面的TC值大于平均值，則該晶面為擇優(yōu)取向，晶面的TC值越大，其擇優(yōu)程度越高。
2 結果和討論
2．1 直流電鍍
圖l為直流條件不同織構系數隨電流密度的變化曲線(xiàn)，其中(a)圖為有添加劑情況，(b)圖為無(wú)添加劑情況?？梢?jiàn)，添加劑對鍍層織構的影響很明顯。沒(méi)有添加劑時(shí)， (111)晶面為單一擇優(yōu)晶面，且擇優(yōu)程度較高；有添加劑時(shí)，(200)晶面在1―4 A／dm2區間內擇優(yōu)程度超過(guò)了(111)晶面。
2．2 脈沖電鍍
圖2為沒(méi)有添加劑時(shí)，不同脈沖條件下織構系數的變化曲線(xiàn)，其中圖2(a)為固定脈沖時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間，改變電流密度；圖2(b)為固定脈沖峰值電流和關(guān)斷時(shí)間，改變脈沖時(shí)間；圖2(c)為固定脈沖峰值電流和脈沖時(shí)間，改變關(guān)斷時(shí)間。為方便對比，把圖2(b)和圖2(c)橫坐標用占空比
來(lái)表示。
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