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WO3摻雜NiO的氣敏性能研究
- 0 引 言 NiO作為一種P型半導體材料，因其具有穩定而較寬的帶隙在電池材料、催化劑、氣敏材料等方面有著(zhù)廣泛的應用。以NiO為基體材料制作的氣敏元件雖然具有響應一恢復快，穩定性比較好等優(yōu)點(diǎn)，但與N型半導體SnO，ZnO等氣敏材料相比，NiO的氣體靈敏度較低，這主要是因為NiO為空穴導電，吸附可燃氣體后空穴減少，電阻增大，而NiO材料本身的電阻又比較高。因此，不斷改善提高NiO的氣敏性能使其具有實(shí)用性是當前研究的重點(diǎn)所在。本文利用水熱法制備N(xiāo)iO對其進(jìn)行不同質(zhì)量分數的WO3摻雜，研究了摻雜后NiO
- 關(guān)鍵字： NiO 氣敏 WO3 半導體 材料 XRD
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