主動(dòng)“ORing”方案降低了功率損耗和設備尺寸

Cool-ORing方案可以由標準的10腳TDFN封裝和8腳SOIC封裝形式的單獨控制器提供，這些封裝的器件可以驅動(dòng)外部標準的N溝道MOSFET，并且其功能與全部功能的集成方案完全相同（如圖2所示）。

圖2 當輸入電源發(fā)生短路故障時(shí)PI2001的典型動(dòng)態(tài)響應

Picor的PI2003是針對48V冗余電源架構優(yōu)化的控制器，特別適合需要瞬態(tài)電壓在100ms時(shí)間內上升達100V輸入電壓的系統。PI2003的低靜態(tài)電流使其可以直接輸入48V電壓，也簡(jiǎn)化了低損耗偏置。

主動(dòng)ORing技術(shù)中的負載分離特征
常規ORing技術(shù)和主動(dòng)ORing技術(shù)解決方案不能在負載故障時(shí)保護輸出，這是因為總有一個(gè)二極管正向偏置電流要流到輸出端。在標準二極管ORing技術(shù)中，這是顯而易見(jiàn)的，但使用常規主動(dòng)ORing技術(shù)，即使當MOSFET關(guān)閉的時(shí)候，也有一個(gè)寄生體二極管存在，并有正向電流流過(guò)它，而且是不可能斷開(kāi)它的。

Cool-ORing技術(shù)也包括一個(gè)負載分離的特征。PI2122全功能解決方案集成了一個(gè)具有背對背配置的MOSFET（它們可以提供極低的導通電阻）的高速控制器，封裝為高密度強化散熱的5mm×7mm LGA封裝，并為不大于5V總線(xiàn)的應用進(jìn)行了優(yōu)化。

PI2122是7V、12A的器件，具有實(shí)際上典型值為6mΩ的導通電阻，可以使它具有非常高的效率。通過(guò)采用背對背MOSFET，內部寄生體二極管彼此是反向的，因此當MOSFET關(guān)閉的時(shí)候，阻止了正向和反向電流。

該產(chǎn)品作為主動(dòng)ORing技術(shù)的解決方案，也能夠檢測輸出負載故障時(shí)的過(guò)電流。這個(gè)功能在獨立控制器PI2002中也存在，它可以驅動(dòng)外部標準背對背配置的N溝道MOSFET。

冗余供電架構依賴(lài)于采用寬總線(xiàn)電壓的有效ORing技術(shù)方案。Picor公司的Cool-ORing系列主動(dòng)ORing方案的價(jià)值是下一代高可用系統的關(guān)鍵。

全功能解決方案將高速控制器和高性能MOSFET技術(shù)融合在一起，在高密度強化散熱的LGA封裝中實(shí)現了極低的損耗。這些解決方案與傳統的主動(dòng)ORing技術(shù)相比節省了50％的空間。