理想二極管控制器或 ORing 控制器柵極電壓低于預期值

背景：
理想二極管控制器和 ORing 控制器以三種不同的運行模式控制外部 N 溝道 MOSFET，如圖 1 所示。

圖 1：理想二極管控制器 LM74700-Q1 的柵極驅動(dòng)模式
正常運行期間，控制器以穩壓導通模式或完全導通模式運行。在穩壓導通模式下，線(xiàn)性穩壓方案在 MOSFET 源漏極兩端保持非常低的正向電壓。LM74700-Q1 將 MOSFET 的正向壓降調節至 20mV（典型值）。LM5050-x 和 LM5051 穩壓正向壓降為 22mV（典型值），TPS2410/12 調節至 10mV 正向壓降。請注意，在較高的負載電流下，控制器將進(jìn)入完全導通模式，并且 MOSFET 會(huì )得到完全增強。

答：
在線(xiàn)性穩壓控制中，MOSFET 的正向電壓通過(guò)根據負載電流控制柵極電壓進(jìn)行調節。更準確地說(shuō)，為了調節正向電壓，控制器的柵極驅動(dòng)通過(guò)控制 MOSFET 的 VGS 來(lái)改變 MOSFET 的 RDS (ON)。

線(xiàn)性穩壓方案：

• IN-OUT 大于穩壓正向電壓時(shí)，增加 VGS 柵極電壓，減少 MOSFET 的 RDS (ON)

• IN-OUT 低于穩壓正向電壓時(shí)，降低 VGS 柵極電壓，增加 MOSFET 的 RDS (ON)

• IN-OUT 大于完全導通閾值時(shí)，在 VGS 柵極電壓大于 10V 的情況下完全增強 MOSFET

• IN-OUT 低于反向關(guān)斷閾值時(shí)，通過(guò)將柵極拉至源極 VGS = 0V 來(lái)關(guān)斷 MOSFET。

讓我們以 LM74700-Q1 為例來(lái)說(shuō)明線(xiàn)性穩壓方案。LM74700-Q1 的穩壓正向電壓為 20mV，完全導通閾值為 50mV，反向關(guān)斷閾值為 -11mV。

MOSFET DMT6007LFG 的正向傳輸特性，即 VGS 與 RDS (ON) 的關(guān)系，如圖 2 所示。在 3A 額定電流下，要將源漏極電壓調節至 20mV，控制器需要保持 RDS (ON) = 20mV/3A = 6.67mΩ。從正向傳輸特性來(lái)看，RDS(ON) 6.67mΩ 對應于 VGS 4V，因此控制器在 3A 電流下會(huì )將 VGS 調節至 4V，如圖 3 所示。

接下來(lái)，在 1A 負載電流下，控制器需要保持 RDS (ON) = 20mV/1A = 20mΩ。RDS (ON) 20mΩ 對應于 VGS 3V，因此控制器在 1A 電流下會(huì )將 VGS 調節至 3V，如圖 4 所示。

最后，在 5A 高負載電流下，控制器需要保持 RDS (ON) = 20mV/5A = 4mΩ。RDS (ON) 4mΩ 對應于 VGS >10V，因此控制器會(huì )完全增強 MOSFET 并將 VGS 調節至 11V，如圖 5 所示。

圖 2：MOSFET DMT6007LFG 的正向傳輸特性數據表

圖 3：LM74700-Q1 在 3A 負載電流下驅動(dòng) DMT6007LFG

圖 4：LM74700-Q1 在 1A 負載電流下驅動(dòng) DMT6007LFG

圖 5：LM74700-Q1 在 5A 負載電流下驅動(dòng) DMT6007LFG