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利用Cadence設計COMS低噪聲放大器

作者: 時(shí)間:2009-07-03 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

摘 要:結合一個(gè)2.4 GHz CMOS(LNA)電路,介紹如何利用軟件系列中的IC 5.1.41完成CMOS設計。首先給出CMOS設計的電路參數計算方法,然后結合計算結果,利用軟件進(jìn)行電路的原理圖仿真,并完成了電路版圖設計以及后仿真。仿真結果表明,電路的輸入/輸出均得到較好的匹配。由于寄生參數,使得電路的噪聲性能有約3 dB的降低。對利用軟件完成CMOS射頻集成電路設計,特別是低噪聲放大器設計有較好的參考價(jià)值。
關(guān)鍵詞:低噪聲放大器;CMOS;射頻IC;Cadence

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/188860.htm


0 引 言
Cadence Design Systems Inc.是全球最大的電子設計技術(shù)、程序方案服務(wù)和設計服務(wù)供應商。它的解決方案旨在提升和監控半導體、計算機系統、網(wǎng)絡(luò )工程和電信設備、消費電子產(chǎn)品以及其他各類(lèi)型電子產(chǎn)品的設計。Cadence公司的電子設計自動(dòng)化產(chǎn)品涵蓋了電子設計的整個(gè)流程,包括系統級設計、功能驗證、IC綜合及布局布線(xiàn)、模擬和混合信號及射頻IC設計、全定制集成電路設計、IC物理驗證、PCB設計和硬件仿真建模等。Cadence軟件支持自頂向下(Top-down)的芯片設計,是業(yè)界廣泛采用的設計工具。該軟件通過(guò)Li-brary CelI View三級目錄輔助芯片設計:
(1)設計者為自己要完成的系統任務(wù)建立新的Li-brary;
(2)分析系統及其指標來(lái)確定系統的各個(gè)模塊,每個(gè)模塊對應于Library中的一個(gè)Cell;
(3)每個(gè)模塊的設計包括電路(Schematic)設計和版圖(Layout)設計,兩者密不可分,電路圖與版圖都是模塊中的View。
同時(shí),Cadence公司還提供設計方法教學(xué)服務(wù),幫助客戶(hù)優(yōu)化其設計流程;提供設計外包服務(wù),協(xié)助客戶(hù)進(jìn)入新的市場(chǎng)領(lǐng)域。垂直解決方案是Cadence 為幫助IC設計公司迅速建立設計架構,并獲得更短、可預測性更高的設計周期而推出的獨具特色的整套解決方案,其目標是為了推動(dòng)不同領(lǐng)域產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)步伐,設計錦囊(Process Design Kit,PDK)是其重要組成部分?!板\囊”通過(guò)將驗證方式和流程與IP相結合的方式,更好地應對無(wú)線(xiàn)、網(wǎng)絡(luò )和消費電子等不同領(lǐng)域在設計方面的挑戰。通過(guò)采用“錦囊”,用戶(hù)可將其寶貴的資源投入在差異化設計而不是基礎設計方面。

1 低噪聲放大器電路設計
(1)電路結構。圖1是此次實(shí)驗中所用電路的完整電路原理圖。圖中共源管M1作為主放大管,給電路提供足夠的增益;共柵管 M2用來(lái)減小M1的Cgd1引起的密勒效應以及增強整個(gè)電路的反向隔離性能;M3,Rref,Rbias構成偏置電路,以實(shí)現M1所需的直流偏置。對于輸入/輸出匹配電路,可以利用Smith圓圖完成初步設計;然后利用Cadence軟件套件中用于集成電路仿真的組件IC 5.1進(jìn)行更加精確的電路參數調試。
(2)電路設計。設計中采用新加坡特許(CHRT)的0.35μm RF CMOS工藝。電路工作在2.4 GHz,信號源電阻為50 Ω,M1的偏置電流取為5 mA。根據文獻[3],通過(guò)計算可得CHRT 0.35 μm 工藝Cox的值約為4.6mF/m2,根據文獻[4,5]可以得到最優(yōu)柵寬公式:Wopt△1/3ωLCoxRs,計算得M1的最優(yōu)寬度約為 240μm。根據公式RS=ωtLS,可得LS的值約為O.54 nH。根據公式CRS=(2/3)WoptLCox,得到CgS的值約為150 fF。將LS和CgS的值代入公式為輸入信號角頻率),可以得到Lg的值約為16.2 nH。偏置電路中M3的尺寸和電流選為M1的1/2。

2 仿真與調試
(1)電路原理圖仿真。IC 5.1.41中用到的原理圖編輯器是Virtuoso Schematic Editor。首先,在編輯器中輸入圖1所示的低噪聲放大器完整的電路原理圖。接著(zhù),為了完成電路仿真,得到所需的電路參數,還需要在模擬環(huán)境 (Analog Design Environment)進(jìn)行必要的設置,比如電路中用到的各個(gè)變量取值、S參數仿真(SP仿真)或者直流(DC)仿真的參數等。這些在軟件的用戶(hù)手冊 (Cdsdoc)以及一些相關(guān)的使用教程里面都有詳細的說(shuō)明,在此不再重復。
在必要的軟件設置都完成之后,便可以順利地將電路原理圖轉換成網(wǎng)表并仿真(Netlist and Run),從而得到感興趣的電路參數,軟件默認啟動(dòng)的仿真器是spec-tre。在此次的低噪聲放大器設計過(guò)程中,主要關(guān)注電路的S參數、噪聲系數FN。
為了將輸出阻抗匹配到50 Ω,首先可以利用Smith圓圖來(lái)完成輸出匹配的初步設計。通過(guò)計算,本次設計需要在負載電路端并聯(lián)一個(gè)電容Cout1,然后串聯(lián)一個(gè)電容Cout2。通過(guò)調試,確定Cout1和Cout2的值分別約為180 fF和450 fF。
(2)電路版圖設計。版圖是集成電路設計中十分重要的一環(huán),它對射頻電路的性能有很大的影響。由于工作頻率很高,寄生效應和襯底耦合效應很明顯,因此要整體考慮其布局布線(xiàn),盡量減小寄生參數的影響。首先,布局要合理,要注意信號線(xiàn)的走線(xiàn)長(cháng)度,無(wú)源器件,特別是電感和其他部分要保持適當的間距;信號線(xiàn)要盡量寬些,這樣可以降低串聯(lián)電感和寄生電阻;
要盡可能的多用地線(xiàn),電源線(xiàn)與地線(xiàn)盡量平行,以形成去耦電容,達到去除電源的高頻耦合分量的目的;
電源線(xiàn)盡量采用底層金屬,RF信號線(xiàn)盡量采用頂層金屬,而在版圖空白處盡量多布地線(xiàn),盡可能地降低走線(xiàn)過(guò)程中的襯底損耗和串擾。
結合CHRT 0.35μm RF CMOS工藝的PDK,可以很方便地生成電路的元器件版圖輸出,接著(zhù)完成必要的電路連線(xiàn),便可以得到電路的版圖結果。
電路實(shí)現版圖設計之后還需要完成物理驗證。
此次采用的驗證工具是IC 5.1中自帶的DIVA。除此之外,也可以采用Cadence公司的ASSura,或者M(jìn)entor Grahphics公司的Calibre。物理驗證的過(guò)程包括設計規則檢查(DRC)、版圖原理圖對比(LVS)以及寄生參數提取(Extract)三個(gè)步驟。

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