起因于RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀(guān)測并模擬的方法

　　此次瑞薩開(kāi)發(fā)了根據陷阱個(gè)數、振幅（陷阱引起的特性變動(dòng)的幅度）及時(shí)間常數（捕獲和釋放電荷的時(shí)間間隔）的統計學(xué)分布，以蒙特卡羅法對一定時(shí)間（比如想保證的產(chǎn)品壽命）內晶體管及電路所產(chǎn)生的特性變動(dòng)的最大值進(jìn)行計算的方法（圖5）。將以往RTN分析式未考慮的陷阱時(shí)間常數和能量作為參數進(jìn)行了導入。該計算方法不進(jìn)行嚴密的電路模擬，只進(jìn)行概率的計算和振幅的加算。因此，可在實(shí)用時(shí)間內進(jìn)行模擬。

　　該公司為了獲得SRAM中RTN所致誤操作的發(fā)生概率，對6個(gè)晶體管構成的組件使用了此次了模擬方法，并根據結果算出了作為SRAM工作穩定性指標的SNM（Static Noise Margin）的變化量。對40nm工藝SRAM進(jìn)行該變化量的計算后表明，在該工藝中，與雜質(zhì)不均相比，RTN的影響較為輕微（圖6）。

　　從（3）來(lái)看，在模擬中體現加速試驗的結果以提高精度的手段對于將此次的方法應用于實(shí)際的芯片十分重要。這源于各晶體管中存在的陷阱個(gè)數、振幅及時(shí)間常數等無(wú)法通過(guò)測定手段來(lái)完全掌握。

　　此次的模擬方法，其計算結果會(huì )因為作為參數的陷阱時(shí)間常數和能量存在分布如何進(jìn)行假設，以及計算中將其納入考慮的范圍有多大而發(fā)生變化。因此，瑞薩以提高模擬精度為目標，開(kāi)發(fā)了使加速試驗結果在模擬參數的設定中得到體現的方法。具體而言，就是從加速試驗開(kāi)始考慮SRAM的故障bit數是以何種趨勢隨著(zhù)工作次數而增加的，并以能夠在模擬中再現這種趨勢為目的，修正與陷阱時(shí)間常數和能量存在分布相關(guān)的假設。