一種應用于深亞微米存儲器的電荷泵設計
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基于以上討論，對初始提出的電路進(jìn)行改進(jìn)，改進(jìn)后如圖2所示。圖2中將4個(gè)需要承受峰值高壓的器件用高壓管代替普通管，以保證電路在V2、V3的尖峰電平下正常工作。高壓器件的選擇視各制造工藝而定，仿真所基于的工藝提供了性能優(yōu)良的高壓器件，使成功提升了電路的耐壓。對于不同工藝可相應從其提供的器件類(lèi)型中選擇器件，并配合編程電壓的設置來(lái)完成耐壓的增強。將N1、N2的襯底電位單獨接出并加上合適的電位以減弱體效應的影響。這樣做的代價(jià)是需要額外加入產(chǎn)生這個(gè)襯底電位的電路。根據需求不同，可以產(chǎn)生固定襯底電位或隨源襯電壓變化的跟隨襯底電位。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/187355.htm
圖2 高壓MOS器件構成電荷泵電路結構圖
仿真結果
高壓管實(shí)現的電荷泵電路基于TSMC 0.18μm工藝進(jìn)行仿真驗證。設置不同的襯底電位將得出不同的仿真結果。
如圖3所示為襯底接地的電路仿真波形圖。電源電壓3.3V，時(shí)鐘周期106ns，外加編程高壓7.5V，電荷泵在500ns后開(kāi)始工作。從仿真結果可以看出，V2和V3的峰值電壓在10V左右，比穩態(tài)高出2.5V。對于正常工作在3.3V電源電壓下的常壓普通管而言，峰值電壓必然會(huì )帶來(lái)不可忽視的危害。此外可得出，電荷泵工作11個(gè)時(shí)鐘周期后在1.7μs達到7.5V的穩態(tài)值。進(jìn)入穩態(tài)之后，僅存在0.2V的紋波，滿(mǎn)足穩定編程要求。
圖3 襯底接地電位的仿真波形圖
圖4 襯底接2V電壓的仿真波形圖
襯底接2V電壓的仿真結果如圖4所示，其余信號與圖3中相同。與圖3相比，峰值電壓相等，但電荷泵的工作時(shí)間明顯縮短。數據顯示，電荷泵工作9個(gè)周期后近似在1.5μs達到7.5V的穩態(tài)值。由此證明，體效應對電路影響較大，加合適的襯底電位可明顯較弱其不良影響。
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