TD-LTE芯片技術(shù)趨勢 持續性模式 頻段競賽

　　2012年TD-LTE(TimeDivisionLongTermEvolution)成為通訊產(chǎn)業(yè)熱門(mén)議題，對此DIGITIMESResearch觀(guān)察TD-LTE晶片的技術(shù)、業(yè)者、市場(chǎng)等發(fā)展，并推估未來(lái)發(fā)展走向。

　　經(jīng)1年發(fā)展，DIGITIMESResearch再次觀(guān)察比對，發(fā)現TD-LTE晶片業(yè)者已有不同的市場(chǎng)斬獲，單模TD-LTE晶片的主要業(yè)者為Altair，多模TD-LTE晶片的主要業(yè)者為高通(Qualcomm)。

　　除市場(chǎng)斬獲外，亦有業(yè)者發(fā)展轉淡，如意法易立信(ST-Ericsson)，或幾乎沒(méi)有新訊息動(dòng)向，如威睿(VIATelecom)，另有業(yè)者持續追趕業(yè)界需求，如聯(lián)芯(Leadcore)將推出5模晶片，重郵(CYIT)將推出TD-LTE系統單晶片(SystemofaChip;SoC)。

　　展望未來(lái)，TD-LTE晶片的走向，仍會(huì )以支援更多模式、更多頻段為訴求，2012年已強調5模10頻的支援規格，2013年則進(jìn)一步到5模12頻、5模13頻的主張。雖然模式支援上已達極致的5模，但仍有支援標準的區別，如支援LTECat.(Category)3或Cat.4，日后亦需要支援Cat.5及LTE-A(LongTermEvolutionAdvanced)。