名為單PN結的新型基礎電子器件已研發(fā)成功

　　眾所周知，晶體管要分成多種類(lèi)型。其中，MOSFET作為基礎器件由于其優(yōu)越性能得到了廣泛的應用。但是目前使用的場(chǎng)效應管存在兩個(gè)被學(xué)術(shù)界稱(chēng)為PN結的結構。正常工作時(shí)源極和襯底間的PN結始終處于正向導通狀態(tài)，所以在一般情況下，場(chǎng)效應管的源極和襯底是連接在一起的，由此源極和襯底間的PN結并沒(méi)有在電路中起作用。

　　據相關(guān)研究人員介紹，他們在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為單PN結的新型基礎電子器件。

　　他們據此提出了一項專(zhuān)利申請，制造一種只有一個(gè)PN結的場(chǎng)效應管，能夠完全取代現有結構的場(chǎng)效應管、簡(jiǎn)化場(chǎng)效應管的結構、降低成本并提高集成度。

　　相關(guān)研究人員表示，“單PN結場(chǎng)效應管只需改變相應設計，完全能夠在現有標準的CMOS生產(chǎn)線(xiàn)上成功制造出來(lái)，希望能夠有設計和制造伙伴與我們進(jìn)行對接，盡快向產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)。”