改善開(kāi)關(guān)電流電路主要誤差的方案
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1 時(shí)鐘饋通誤差分析
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/180584.htm時(shí)鐘饋通誤差是一個(gè)復雜的物理現象，在這里以第二代開(kāi)關(guān)電流存儲單元為例進(jìn)行分析。
圖1為存儲單元，圖2為開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)的電荷注入示意圖。
對圖1所示的存儲單元，Ms的溝道電荷可以近似地描述為：
其中：Cax是柵氧化層單位面積電容;wseff和Lseff分別是Ms的有效溝道寬度和長(cháng)度;Vgs是Ms的柵一源電壓;VT是Ms的閾值電壓，由式(2)給出：
式中：2 |φF|是強反型層表面勢壘;r是體閾值參數;VT0是Vgs=0時(shí)的閾值電壓。
一般情況下，1 V
將式(3)代入式(1)，得到注入存儲電容的溝道電荷為：
其中：aq表示溝道電荷注入存儲電容的分配系數，典型值為：aq=1/2。由柵極擴散覆蓋電容Co1，注入存儲電容的電荷為：
根據式(4)和式(5)司得整個(gè)注入電荷的總量為：
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