為什么要選擇反激拓撲結構？

條件：Vin=25~125V，Vout=12.5，Iout=32

　　一、為什么選用反激拓撲?

　　許多書(shū)籍都有提到，反激拓撲適用于150W以下功率，但是具體的原因卻很少分析，我嘗試做些解釋。從三個(gè)方面分析：開(kāi)關(guān)管、磁性器件、電容。

　　初級開(kāi)關(guān)管(MOSFET)。假設輸入電壓恒定為60V，情況同上。從兩個(gè)方面考慮反激、正激、半橋：選用mosfet的最大耐壓和流過(guò)mosfet的最大電流有效值。

　　可見(jiàn)在理想狀態(tài)下，三種拓撲的差別并沒(méi)有體現在初級mosfet的導通損耗上(注意半橋使用了兩個(gè)功率mosfet)，開(kāi)關(guān)管的另一個(gè)損耗是開(kāi)關(guān)損耗，公式的推導見(jiàn)EXEL文件。假設開(kāi)通關(guān)斷有相同損耗，電感量無(wú)窮大，則計算公式如下：

　　反激：

　　正激：

　　半橋：

　　從公式可以看出，在只針對一個(gè)輸入電壓點(diǎn)優(yōu)化的情況下，反激的開(kāi)關(guān)損耗最大，正激和半橋沒(méi)有區別，這是限制反激大功率運用的一個(gè)原因。