為什么要選擇反激拓撲結構？

　　次級mosfet都是零電壓開(kāi)通關(guān)斷，不存在開(kāi)關(guān)損耗

　　次級mosfet的導通損耗同樣限制了反激在大功率場(chǎng)合的運用，mosfet體內二極管的反向恢復同樣產(chǎn)生損耗，值得注意的是這個(gè)損耗源于次級，發(fā)生在初級mosfet，計算公式如下

　　考慮到半橋的占空比D可以是0.9，所以以上三個(gè)公式基本上沒(méi)有區別。

　　3、磁性器件。反激的變壓器等效理想變壓器和電感器的結合，不知道該如何正激和半橋的磁性器件比較，這里只討論下為什么反激變壓器中漏感的影響大。具體分析見(jiàn)EXEL中《磁性器件》頁(yè)面

　　4、電容。同樣關(guān)心電容的電流應力和電壓。電壓應力沒(méi)什么區別。

　　輸入電容電流應力基本沒(méi)有區別，輸出電容上反激的電流應力很糟糕，但需要注意的是，輸出電容的電流應力與輸出電流成正比，與輸出功率并沒(méi)有直接關(guān)系，正激和半橋的輸出電容電流應力為0是因為電感假設為無(wú)窮大，實(shí)際值與△I有關(guān)。

　　5、總結：通過(guò)以上分析，反激不適合大功率引用原因如下：

　　初級mosfet開(kāi)關(guān)損耗

　　次級mosfet導通損耗

　　變壓器漏感導致的損耗

　　輸出電容電流應力

　　上面的計算基于輸入電壓恒定為60V，但實(shí)際情況是25~125V。這個(gè)情況下，反激拓撲顯示出它的優(yōu)勢，可能更恰當的說(shuō)應該是正激、半橋變得更加難以設計，其原因在于占空比變化過(guò)大，導致次級開(kāi)關(guān)管電壓應力大，同時(shí)初級mosfet的開(kāi)關(guān)損耗可能超過(guò)反激

　　因為功率為400W，我考慮三個(gè)方案：全橋，雙相交錯有源嵌位正激或反激。全橋初級需要四個(gè)mosfet，且驅動(dòng)要浮驅?zhuān)容^難找到合適的驅動(dòng)芯片;雙相交錯有源嵌位正激需要兩個(gè)N管，兩個(gè)P管，同樣有驅動(dòng)芯片難找的問(wèn)題;同時(shí)因為以前沒(méi)有做過(guò)反激，對反激比較感興趣，在一個(gè)以前的同事建議下選擇雙相交錯反激。后來(lái)事實(shí)證明我當時(shí)錯誤估計了漏感的影響，導致了使用復雜的吸收電路。