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新內存芯片材料實(shí)現速度高于閃存千倍
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作者：
時(shí)間：2006-12-13
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北京時(shí)間12月12日消息，據國外媒體報道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢(mèng)達(Qimonda)等企業(yè)組成的研發(fā)團隊近日表示，已開(kāi)發(fā)出能制造高速“相變(phase-change)”內存的材料；與當前常用的閃存相比，相變內存運行速度高于前者500~1000倍，能耗也將大幅度降低。
據悉該新型材料為復合半導體合金。IBM納米科學(xué)部門(mén)資深經(jīng)理斯派克
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