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芯片材料
芯片材料 文章 進(jìn)入芯片材料技術(shù)社區
為中國芯片"穿針引線(xiàn)" 博威合金引領(lǐng)芯片材料產(chǎn)業(yè)升級

- 近日,第19屆中國半導體封裝測試技術(shù)與市場(chǎng)年會(huì )于江蘇如期舉行,受疫情影響,此次會(huì )議以線(xiàn)下+線(xiàn)上的形式進(jìn)行,博威合金(上證所股票代碼:601137)受邀參與。在專(zhuān)題研討會(huì )上,博威板帶技術(shù)市場(chǎng)部高級經(jīng)理張敏帶來(lái)了《高品質(zhì)半導體引線(xiàn)框架銅合金》的主題演講,并與現場(chǎng)的半導體領(lǐng)域專(zhuān)家、權威人士共同探討了后摩爾時(shí)代先進(jìn)封裝材料和工藝技術(shù)的發(fā)展方向。半導體芯片材料;博威合金解決引線(xiàn)框架技術(shù)難題 為"中國芯"制造"穿針引線(xiàn)"在演講中,張敏梳理了引線(xiàn)框架材料的發(fā)展趨勢,他
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新內存芯片材料實(shí)現速度高于閃存千倍
- 北京時(shí)間12月12日消息,據國外媒體報道,由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢(mèng)達(Qimonda)等企業(yè)組成的研發(fā)團隊近日表示,已開(kāi)發(fā)出能制造高速“相變(phase-change)”內存的材料;與當前常用的閃存相比,相變內存運行速度高于前者500~1000倍,能耗也將大幅度降低。 據悉該新型材料為復合半導體合金。IBM納米科學(xué)部門(mén)資深經(jīng)理斯派克
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芯片材料介紹
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