一種DC/DC變換器中差分延遲線(xiàn)ADC的實(shí)現
延遲線(xiàn)ADC結構簡(jiǎn)單,功耗小,但易受工藝和溫度環(huán)境影響,且采樣信號需外部產(chǎn)生,增加了電路的復雜性,而且采樣信號的延遲大小會(huì )影響ADC量化電平的大小,使得系統輸出不易穩定。

差分延遲線(xiàn)結構是對延遲線(xiàn)結構的一種改進(jìn),結構圖如圖5所示。差分延遲線(xiàn)ADC由兩條全同的延遲鏈組成,主延遲鏈(Primary delay-line)和參考延遲鏈(Reference delay-line)。參考延遲鏈可經(jīng)主延遲鏈復制而來(lái)。兩條差分延遲鏈共用一個(gè)啟動(dòng)信號AD_Start,使兩條延遲鏈的工作狀態(tài)完全相同。差分延遲鏈的兩個(gè)輸入分別是采樣電壓Vsense和基準。
電壓Vref,Vsense須小于Vref,根據電壓越大延遲越小的原理,參考延遲鏈先于主延遲鏈傳播完,將與主延遲鏈相連的D觸發(fā)器打開(kāi),對主延遲鏈上的Vsense進(jìn)行采樣。這樣就實(shí)現了將采樣電壓與基準電壓作比較,再通過(guò)譯碼電路得到系統需要的數字誤差信號。
差分延遲線(xiàn)ADC的控制信號在內部產(chǎn)生,進(jìn)一步簡(jiǎn)化了電路結構。采用差分形式輸入,使得采樣電壓和基準電壓同時(shí)受到溫度和工藝偏差的影響,減少主延遲鏈的延時(shí)偏差。
3.2 差分延遲線(xiàn)ADC建模
設延遲鏈中的延遲單元個(gè)數為N,延遲時(shí)間td是VDD的函數:td=td(VDD),則有

即轉換時(shí)間Tc是分辨率Vq,延遲時(shí)間td以及延遲函數的斜率的函數。

圖6為0.13μm CMOS工藝下單個(gè)延遲單元與VDD的關(guān)系曲線(xiàn)。
4 設計方法和仿真結果
延遲單元對精度要求較高,采用全定制設計,而譯碼電路對精度要求較低,采用基于標準庫單元設計,整體電路使用Hsim進(jìn)行數?;旌戏抡?。

設計時(shí),基準電壓為1.5V,工作頻率是1.5MHz,輸入電壓從0.7~1.5V線(xiàn)性上升,輸出為譯碼后的結果,即6位數字信號e。Vsense每增加或減少12.5mV,e增加或減少“1”,但e的最大值是63。圖7為0.13μm CMOS工藝下差分延遲線(xiàn)ADC的輸入輸出曲線(xiàn),可以看出,差分延遲線(xiàn)ADC的輸出沒(méi)有明顯偏移,零輸入對應零輸出,線(xiàn)性度良好。
5 結束語(yǔ)
該差分延遲線(xiàn)ADC電路結構簡(jiǎn)單,不需要外部電路產(chǎn)生控制信號,可抵消部分工藝偏差。該ADC轉換速率很快,功耗低,適合應用在高頻數字DC/DC變換器中。
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