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PCB 板 EMC/EMI 的設計技巧

作者: 時(shí)間:2011-11-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

中心議題:

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/178433.htm
  • EMI的產(chǎn)生及抑制原理詳析
  • 數字電路的 EMI控制技術(shù)詳析
  • EMI的其它控制手段詳析
  • EMI分析與測試詳析

解決方案:

  • 疊層、合理布局、布線(xiàn)
  • 電源系統、接地、串接阻尼電阻、 屏蔽、擴頻


引言
隨著(zhù)IC 器件集成度的提高、設備的逐步小型化和器件的速度愈來(lái)愈高,電子產(chǎn)品中的EMI問(wèn)題也更加嚴重。從系統設備EMC /EMI的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看,在設備的設計階段處理好問(wèn)題,是使系統設備達到電磁兼容標準最有效、成本最低的手段。本文介紹數字電路設計中的EMI控制技術(shù)。

1 EMI的產(chǎn)生及抑制原理


EMI的產(chǎn)生是由于電磁干擾源通過(guò)耦合路徑將能量傳遞給敏感系統造成的。它包括經(jīng)由導線(xiàn)或公共地線(xiàn)的傳導、通過(guò)空間輻射或通過(guò)近場(chǎng)耦合三種基本形式。EMI的危害表現為降低傳輸信號質(zhì)量,對電路或設備造成干擾甚至破壞,使設備不能滿(mǎn)足電磁兼容標準所規定的技術(shù)指標要求。

為抑制EMI,數字電路的EMI設計應按下列原則進(jìn)行:
* 根據相關(guān) 技術(shù)規范,將指標分解到單板電路,分級控制。
* 從EMI的三要素即干擾源、能量耦合途徑和敏感系統這三個(gè)方面來(lái)控制,使電路有平坦的頻響,保證電路正常、穩定工作。
* 從設備前端設計入手,關(guān)注設計,降低設計成本。

2 數字電路PCB的 EMI控制技術(shù)

在處理各種形式的EMI時(shí),必須具體問(wèn)題具體分析。在數字電路的PCB設計中,可以從下列幾個(gè)方面進(jìn)行EMI控制。

2.1 器件選型
在進(jìn)行EMI設計時(shí),首先要考慮選用器件的速率。任何電路,如果把上升時(shí)間為5ns的器件換成上升時(shí)間為2.5ns的器件,EMI會(huì )提高約4倍。EMI的輻射強度與頻率的平方成正比,最高EMI頻率(fknee)也稱(chēng)為 EMI發(fā)射帶寬,它是信號上升時(shí)間而不是信號頻率的函數:fknee =0.35/Tr (其中Tr為器件的信號上升時(shí)間)

這種輻射型 EMI的頻率范圍為30MHz到幾個(gè)GHz,在這個(gè)頻段上,波長(cháng)很短,電路板上即使非常短的布線(xiàn)也可能成為發(fā)射天線(xiàn)。當EMI較高時(shí),電路容易喪失正常的功能。因此,在器件選型上,在保證電路性能要求的前提下,應盡量使用低速芯片,采用合適的驅動(dòng)/接收電路。另外,由于器件的引線(xiàn)管腳都具有寄生電感和寄生電容,因此在高速設計中,器件封裝形式對信號的影響也是不可忽視的,因為它也是產(chǎn)生EMI輻射的重要因素。一般地,貼片器件的寄生參數小于插裝器件,BGA 封裝的寄生參數小于QFP 封裝。

2.2 連接器的選擇與信號端子定義
連接器是高速信號傳輸的關(guān)鍵環(huán)節,也是易產(chǎn)生EMI的薄弱環(huán)節。在連接器的端子設計上可多安排地針,減小信號與地的間距,減小連接器中產(chǎn)生輻射的有效信號環(huán)路面積,提供低阻抗 回流通路。必要時(shí),要考慮將一些關(guān)鍵信號用地針隔離。

2.3 疊層設計
在成本許可的前提下,增加地線(xiàn)層數量,將信號層緊鄰地平面層可以減少EMI輻射。對于高速PCB,電源層和地線(xiàn)層緊鄰耦合,可降低電源阻抗,從而降低EMI。

2.4 布局
根據信號電流流向,進(jìn)行合理的布局,可減小信號間的干擾。合理布局是控制EMI的關(guān)鍵。布局的基本原則是:
* 模擬信號易受數字信號的干擾,模擬電路應與數字電路隔開(kāi);
* 時(shí)鐘線(xiàn)是主要的干擾和輻射源,要遠離敏感電路,并使時(shí)鐘走線(xiàn)最短;
* 大電流、大功耗電路盡量避免布置在板中心區域,同時(shí)應考慮散熱和輻射的影響;
* 連接器盡量安排在板的一邊,并遠離高頻電路;
* 輸入/輸出電路靠近相應連接器,去耦電容靠近相應電源管腳;
* 充分考慮布局對電源分割的可行性,多電源器件要跨在電源分割區域邊界布放,以有效降低平面分割對EMI的影響;
* 回流平面(路徑)不分割。

2.5 布線(xiàn)
* 阻抗控制:高速信號線(xiàn)會(huì )呈現傳輸線(xiàn)的特性,需要進(jìn)行阻抗控制,以避免信號的反射、過(guò)沖和振鈴,降低EMI輻射。
* 將信號進(jìn)行分類(lèi),按照不同信號(模擬信號、時(shí)鐘信號、I/O信號、總線(xiàn)、電源等)的EMI輻射強度及敏感程度,使干擾源與敏感系統盡可能分離,減小耦合。
* 嚴格控制時(shí)鐘信號(特別是高速時(shí)鐘信號)的走線(xiàn)長(cháng)度、過(guò)孔數、跨分割區、端接、布線(xiàn)層、回流路徑等。
* 信號環(huán)路,即信號流出至信號流入形成的回路,是PCB設計中EMI控制的關(guān)鍵,在布線(xiàn)時(shí)必須加以控制。要了解每一關(guān)鍵信號的流向,對于關(guān)鍵信號要靠近回流路徑布線(xiàn),確保其環(huán)路面積最小。



對低頻信號,要使電流流經(jīng)電阻最小的路徑;對高頻信號,要使高頻電流流經(jīng)電感最小的路徑,而非電阻最小的路徑(見(jiàn)圖1)。對于差模輻射,EMI輻射強度(E)正比于電流、電流環(huán)路的面積以及頻率的平方。(其中I是電流、A是環(huán)路面積、f是頻率、r是到環(huán)路中心的距離,k為常數。)

因此當最小電感回流路徑恰好在信號導線(xiàn)下面時(shí),可以減小電流環(huán)路面積,從而減少EMI輻射能量。
* 關(guān)鍵信號不得跨越分割區域。
* 高速差分信號走線(xiàn)盡可能采用緊耦合方式。
* 確保帶狀線(xiàn)、微帶線(xiàn)及其參考平面符合要求。
* 去耦電容的引出線(xiàn)應短而寬。
* 所有信號走線(xiàn)應盡量遠離板邊緣。
* 對于多點(diǎn)連接網(wǎng)絡(luò ),選擇合適的拓撲結構,以減小信 號反射,降低EMI輻射。


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關(guān)鍵詞: 技巧 設計 EMC/EMI PCB

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