新型高可靠性低功耗6管SRAM單元設計
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2．4 讀／寫(xiě)仿真
為了進(jìn)一步驗證新型6T-SRAM讀／寫(xiě)功能的正確性，以及與傳統6T-SRAM單元的比較，采用HSpice對兩種管子進(jìn)行了讀／寫(xiě)仿真。如圖4-圖7所示。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/178360.htm
新型6T-SRAM存儲單元的讀／寫(xiě)仿真表明，單個(gè)存儲單元的讀／寫(xiě)時(shí)間在0．2 ns內，符合存儲器在高速狀態(tài)下運行的需要。
3 結語(yǔ)
本文提出一種新型的SRAM單元，新型6T-SRAM單元有兩個(gè)單獨的數據訪(fǎng)問(wèn)機制，一個(gè)是讀操作，另外一個(gè)是寫(xiě)操作。而且，SRAM單元設計不干擾存儲節點(diǎn)的讀操作過(guò)程。該SRAM單元是在0．18μm工藝下仿真的，新型SRAM采用漏電流保持技術(shù)，從而不需要刷新來(lái)維持數據，并且仿真顯示功耗比較傳統SRAM低了很多，讀／寫(xiě)速度方面比傳統SRAM慢了一點(diǎn)，但是這是在可以接受的范圍內。
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