一種適用于高頻電流模式轉換器的斜坡補償電路的設計與實(shí)現
圖3中電流源I1和電流源I2是鏡像關(guān)系,左半部分是鋸齒波產(chǎn)生電路,包括電流源I1,電容C1,電阻R1,比較器1,比較器2,邏輯單元和開(kāi)關(guān)VT1。整個(gè)電路工作原理如下:邏輯單元產(chǎn)生一個(gè)充放電的脈沖來(lái)控制開(kāi)關(guān)VT1的開(kāi)關(guān),從而控制電容的充放電。當開(kāi)關(guān)VT1是關(guān)閉時(shí),電流源I1對電容C1充電。此時(shí)A點(diǎn)電壓線(xiàn)性增加,當A點(diǎn)電壓超過(guò)UREF1時(shí),此時(shí)比較器1會(huì )輸出一個(gè)低電平,使邏輯單元產(chǎn)生一個(gè)高脈沖,從而打開(kāi)開(kāi)關(guān)VT1,使電容通過(guò)電阻R1進(jìn)行放電,因為電阻R1很小,因此放電速度很快,當A點(diǎn)電壓下降到小十VREF2時(shí),此時(shí)比較器2輸出一個(gè)低電平到邏輯單元,使邏輯單元產(chǎn)生一個(gè)低脈沖,使開(kāi)關(guān)VT1關(guān)閉,如此反復,在A(yíng)點(diǎn)產(chǎn)生一個(gè)鋸齒波信號。下面可以通過(guò)公式推導出此時(shí)A點(diǎn)鋸齒波的頻率,我們假設對電容C1充電電流為ICharge,由電容C1的電荷公式有:
ICharge·t1=C1△U=C1(UREF1-UREF2) (4)
假設通過(guò)R1放電的放電時(shí)間為t2,這里因為電阻R1很小,所以忽略放電時(shí)間t2。

由于電流源I1和電流源I2是鏡像關(guān)系,所以電流源I2對電容C2充放電會(huì )產(chǎn)生一個(gè)斜坡信號。如果假設電流源I1和電流源I2是1:1的鏡像關(guān)系,則此時(shí)斜坡頻率:

下面我們來(lái)分析斜坡補償電路如何實(shí)現加法功能的,SWON端口為功率管的驅動(dòng)信號,ISEN信號表示采樣電流信號,當SWON為低時(shí),表示外部功率管關(guān)閉,此時(shí)關(guān)閉開(kāi)關(guān)VT4,打開(kāi)關(guān)VT3,這時(shí)電容C2下端電壓為0,上端電壓


ICharge·t=C2△U=C2(U(t)-UISEN) (8)
求得電容C2上端電壓為

實(shí)際的電路中,由于開(kāi)關(guān)管VT4會(huì )引入尖峰毛刺,進(jìn)而可能會(huì )導致PWM比較器誤輸出。所以一般會(huì )在ISEN信號通路處加入一個(gè)簡(jiǎn)單的RC濾波器,這時(shí)就會(huì )有一個(gè)電阻R串接在電容下端和ISEN信號端之間。因此在當SWON為高電平時(shí),由于此時(shí)VT3關(guān)閉,所以會(huì )有一個(gè)大小等于IChar ge的電流流過(guò)電阻R,從而使ISEN采樣信號與電容下端電壓產(chǎn)生偏差。解決方法是在電容C2下端加入一個(gè)電流為ICharge的電流源,引入電流源后(如圖3中I3所示),SWON為高電平時(shí)流過(guò)R的電流就可以忽略不計,此時(shí)斜坡補償的誤差就可以大大減小。本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/177400.htm
實(shí)際的充電電流產(chǎn)生電路如圖4所示,該電路的主體結構是一個(gè)自偏置的電流源,因此其對電源的干擾不敏感,其主要是由跨導放大器,VT 1,芯片外接電阻RT和電流鏡組成。由于跨導放大器,VT1和電阻RT組成了一個(gè)負反饋結構,所以此時(shí)流過(guò)VT1的電流,即充電電流ICharge等于UREF/RT,此充電電流經(jīng)過(guò)電流鏡鏡像到充電電容。因此斜坡的斜率可以表示為:
根據斜坡補償原理,要滿(mǎn)足
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