存儲器卡接口電平轉換與信號保護
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圖1所示電路給出MAX13030E-MAX13035E邏輯電平轉換器IC在存儲卡信號邏輯電平轉換中的應用，并可保護信號避免在±15kV HBM (人體模型) ESD沖擊情況下?lián)p壞。例如，MAX13035E可從任意存儲卡控制器(如基帶處理器、應用處理器或多媒體處理器)獲得1.8V信號，并自動(dòng)將其轉換到3.3V。該器件可進(jìn)行雙向電平轉換(3.3V轉換為1.8V)，適用于SD卡、MMC、Transflash? (microSD)、MiniSD、記憶棒、記憶棒PRO以及類(lèi)似的存儲卡。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/176662.htm
這些器件采用獨特的設計架構，無(wú)需使用方向(DIR)或寫(xiě)/讀(W/R)控制端指示數據方向，具有如下好處：首先，只需極少的信號線(xiàn)，可大大減小MAX13035E系列的封裝尺寸，采用2mm x 2mm、16焊球UCSP封裝。其次，原本用于指示信號方向的基帶處理器I/O可用作其它目的，由于減少了數據線(xiàn)，可以獲得緊湊的電路板布局。
MAX13035E專(zhuān)有的設計架構還可利用內部電流源檢驗高阻輸入時(shí)的總線(xiàn)狀態(tài)，這種設計無(wú)需外部上拉或下拉電阻。通道間可相互轉換，并且兼容高達50MHz (100Mbps)的CMOS推挽信號和200kHz (400kbps)的開(kāi)漏信號。這一靈活性非常適合MMC存儲卡接口的漏極開(kāi)路應用(初始化模式)。
當VCC VL，如VCC斷開(kāi)時(shí)，MAX13035E和MAX13030E系列的其它器件都將關(guān)斷。MAX13030E-MAX13034E帶有一個(gè)EN引腳，驅動(dòng)該引腳為低時(shí)，器件處于低功耗關(guān)斷狀態(tài)。MAX13035E沒(méi)有EN引腳，但可利用CLK_RET引腳代替，將時(shí)鐘信號反饋至主處理器，如圖2所示。某些SD卡控制器可利用該信號提高性能。
MAX13015E系列器件在VCC側的所有I/O端都提供高達±15kV (HBM)的增強ESD保護功能。需采用一只1μF的陶瓷電容旁路VCC，確保滿(mǎn)足ESD保護要求。
圖1電路還給出了如何采用MAX3202EE對CARD_DETECT信號和WRITE_PROTECT信號提供ESD保護。采用該電路時(shí)，推薦使用由SD卡連接器提供的CARD_DETECT，而不是DAT3的上拉電阻。這是因為MAX13035E不支持卡檢測的上拉。
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