低電壓大電流VRM拓撲結構和均流技術(shù)研究
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(a)
(b)
圖4 RC開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò )
圖5簡(jiǎn)單的電流檢測技術(shù)
文獻[1]中有
(1)
在(1)式中被檢測到的平均電感電流僅受 
的影響。R和C的精確度，電感值和MOSFET導通電阻對均流效果都沒(méi)有影響。
從上面提出的控制電流的方法，我們可以得到一種不同于傳統的均流方法的另一種比較簡(jiǎn)單的均流控制技術(shù)。如圖6所示充分利用平均電壓 
信號，每一個(gè)模塊的電流就得到了控制。在圖6中的控制功能塊包括均流控制環(huán)和電壓環(huán)。所有并行的模塊共同使用一個(gè)電壓環(huán)。每一個(gè)模塊有它自己的控制電流的RC開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò )和自己的均流控制環(huán)。
在圖6中，感應到的平均電流的信息由電容電壓信號控制。文獻[1]中有
(2)
(3)
和 
表示每一個(gè)模塊的平均電流。首先我們假設了 
和 
相等。它表示著(zhù)電感的磁芯設計和分布設計在這兩個(gè)模塊中都是對稱(chēng)的。實(shí)際上，在制作時(shí)這種對稱(chēng)是很容易控制的。為了能夠達到電流在兩個(gè)模塊之間分布的一致性， 
必須等于 
。從式(1)得，如果 與 相等，并且 和 相等，那么 和 就相等所以現在我們很清楚均流控制環(huán)控制的目的就是控制 
和 
并且使得兩者相等。圖6為控制兩個(gè)RC開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò )并且使得 和 相等的一種簡(jiǎn)單的方法。在圖6中均流控制環(huán)使用了一個(gè)積分調節器,所以沒(méi)有穩態(tài)誤差。兩個(gè)RC開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò )的輸出電壓 和 應該和參考電壓相等。使用圖6所示的控制方法 和 總是相等，根據(2)和(3)式，則有 
圖6新型的均流技術(shù)
基爾霍夫電流相關(guān)文章:基爾霍夫電流定律
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