60A交錯式有源鉗位正向轉換器設計

引言

在48V輸入電信系統中，100W到250W的電源便足以滿(mǎn)足許多應用的需求。正向轉換器是這些應用的理想選擇。在更低輸出電壓下，次級電路中的同步整流可提高效率和簡(jiǎn)化系統散熱設計。有源鉗位正向轉換器可以很好地服務(wù)于這些應用，因為同步整流的易于實(shí)現性。

在大多數情況下，正向轉換器的輸出電流常常被設定在約30A。超過(guò)該電流值，便很難管理次級電路的電感設計和傳導損耗。從功率的角度來(lái)看，主電路(許多并聯(lián)FET)成為250W以上額定功率的一個(gè)限制因素。在一些大功率系統中，必須轉而使用一種不同的拓撲結構，例如：全橋等，或者并行操作兩個(gè)或者更多正向轉換器以增加輸出功率。

對于使用二極管整流其輸出的一些并聯(lián)電源，負載共用IC非常有效。二極管整流電源允許僅從電源吸取電流。但是，使用同步整流器的電源同時(shí)可以提供和吸取功率，其會(huì )損毀一些負載負載共用控制器。在啟動(dòng)時(shí)更是如此，因為反饋環(huán)路被主控制器的慢啟動(dòng)電路主導，而兩個(gè)并聯(lián)電源會(huì )嘗試把輸出調節至不同的電壓水平。通過(guò)交錯式兩個(gè)單獨功率級可以避免出現這些問(wèn)題。本文為您介紹一種5V、300W交錯式隔離式電源，其通過(guò)一個(gè)標準36V-72V電信輸入驅動(dòng)。

交錯式功率級的設計

在本設計舉例中，把電源分成兩個(gè)交錯式功率級，這樣做可以把每個(gè)相次級電路的電流減少至30A。這比單相電源所要求的60A要易于管理得多。我們需要對兩個(gè)相進(jìn)行設計以承載30A以上的電流，目的是容許相位誤差。功率級設計的第一步是選擇電源變壓器的匝數比和電感。這種有源鉗位正向轉換器的一個(gè)特點(diǎn)是，它能夠工作在50%以上的占空因數下。最大占空因數最好不要超過(guò)75%，這樣變壓器的重置電壓才不會(huì )過(guò)高。本例中，36V輸入時(shí)，4.5：1的匝數比可帶來(lái)約63%的占空因數。在200kHz下對每個(gè)相進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，可在尺寸和效率之間提供一種較好的平衡。把主電感設置在100µH，可確保開(kāi)關(guān)過(guò)渡期間有足夠的磁化電流來(lái)驅動(dòng)功率MOSFET的換向整流。次級電感和開(kāi)關(guān)頻率決定鉗位中諧振電容器的值。在這種情況下，0.1µF電容器可產(chǎn)生50kHz的諧振頻率。

輸出電感的選擇與所有降壓轉換型拓撲一樣。使用2 µH電感情況下，輸入為72V最大值時(shí)，每個(gè)相的峰到峰紋波電流達到8.5A?？紤]到20%的相位誤差，該電感必須能夠在不飽和的情況下承載至少41A的峰值電流。

輸出電容器的選擇，需滿(mǎn)足負載瞬態(tài)引起的輸出紋波電壓和電壓偏移要求。功率級交錯式可抵消一些輸出電容器紋波電流。紋波電流抵消的多少取決于占空因數和兩個(gè)相位之間的相角。僅當兩個(gè)相位同步為異相180°且占空因數為50%時(shí)，紋波電流全部抵消。紋波電流的降低，減少了基于紋波電壓要求和電容器RMS額定電流所要求的電容器數量。就本設計而言，每個(gè)4A RMS額定使用4個(gè)180µF聚合物電容器，便足以讓峰到峰紋波電壓保持在50 mV以下。如果必要，我們還可以增加更多的電容，以支持大負載瞬態(tài)。

選擇主MOSFET也很簡(jiǎn)單。峰值漏電壓是輸入電壓和諧振變壓器重置電壓的和。RMS主電流包括反射負載電流和變壓器磁化電流。重要的是，選擇最少的高成本效益晶體管，并讓每個(gè)晶體管的功耗始終為可控。就本設計而言，每個(gè)相位均使用兩個(gè)并聯(lián)150V、50mΩ MOSFET，并且每個(gè)FET的最大功耗約為700mW。

圖1說(shuō)明了如何在有源鉗位正向轉換器的每個(gè)相位中實(shí)現自驅動(dòng)同步整流器。一套同步整流器(Q4、Q5和Q6)有通過(guò)變壓器反射的輸入電壓，而另一套(Q1、Q2和Q3)則有反射到次級端的變壓器重置電壓。選定匝數比時(shí)，額定30V的MOSFET足以滿(mǎn)足該設計的要求。這些組件中大多數功耗均產(chǎn)生自傳導損耗。每個(gè)相位的并聯(lián)多個(gè)7mΩ MOSFET導致每個(gè)FET出現約800mW的最大損耗。它可以確保結溫不至于過(guò)高，即使20%相位誤差時(shí)也是如此。柵極驅動(dòng)組件Q12、Q13、Q15和Q16服務(wù)于兩個(gè)功能。首先，它們保護MOSFET柵極免受開(kāi)關(guān)波形上電壓尖峰的損害。其次，它們提供一個(gè)緩沖功能，這樣變壓器的次級繞組便不會(huì )直接連接至大量的柵極電容。對于確保功率MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)渡期間能夠迅速換向整流，這一點(diǎn)很重要。

圖 1 自驅動(dòng)同步整流器的柵極驅動(dòng)調節電路

圖2描述了如何把兩個(gè)控制器并聯(lián)在一起，讓它們共用一個(gè)公共反饋信號和軟啟動(dòng)電路。利用峰值電流模式控制，每個(gè)功率級都表現為一個(gè)電流源，其由反饋引腳的電壓控制。一個(gè)單誤差放大器通過(guò)同時(shí)控制兩個(gè)控制器的反饋引腳來(lái)調節輸出電壓。兩個(gè)相位之間的電流失衡基本由控制器內部的偏差變化以及電流檢測容差和斜率補償來(lái)決定。圖3顯示了一個(gè)可導致兩個(gè)相位間最大誤差的總容差的各相電流與反饋電壓對比曲線(xiàn)。在高負載水平下時(shí)，這并不會(huì )成為問(wèn)題，因為一個(gè)級剛好承受更大的負載。但是，在輕負載狀態(tài)下，誤差會(huì )允許一個(gè)相吸取電流，從而迫使另一個(gè)相提供額外電流。這導致輕負載損耗的增加。當對電流限制編程時(shí)，還必須考慮相位失衡問(wèn)題。