閃耀光柵數字微鏡的結構設計與驅動(dòng)
基于MEMS的閃耀光柵數字微鏡顯示技術(shù)是一種全新的顯示技術(shù), 它的基本工作原理為:平行的復合白色光線(xiàn)以固定的入射角照射在閃耀光柵微鏡陣列上,驅動(dòng)電路驅動(dòng)每個(gè)像素單元的閃耀光柵微鏡偏轉不同角度,在特定的衍射方向上得到的R、G、B以及不可見(jiàn)波長(cháng)的光線(xiàn)經(jīng)過(guò)成像鏡頭后形成彩色畫(huà)面。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/168540.htm微鏡結構設計的基本要求
閃耀光柵數字微鏡顯示技術(shù)的核心部件是閃耀光柵數字微鏡。要達到便攜應用和投影應用的目的,閃耀光柵數字微鏡結構設計需滿(mǎn)足以下基本要求。
盡可能減小顯示單元的尺寸
為了得到準確的基色,要求入射的復合白色光線(xiàn)在微鏡總像素尺度范圍內保持平行,否則,由于入射光線(xiàn)的角度偏差,將導致畫(huà)面色彩的偏離。當微鏡總像素尺度較小時(shí),容易得到理想的、具有較強亮度的平行照射光線(xiàn)。若增加像素單元尺寸,需要更大面積的平行強光,這無(wú)疑會(huì )增加光源系統的功率和制造成本。
盡可能提高像素的填充率
閃耀光柵數字微鏡的填充率主要取決于像素間距,而像素間距的大小又與驅動(dòng)方式有關(guān)。在MEMS系統中,最為高效的驅動(dòng)方式為靜電驅動(dòng)。通過(guò)在兩塊板上施加電壓,可以在板間形成靜電場(chǎng),兩片板間的靜電力由以下公式計算。
式中,er為相對介電常數,eo為自由空間介電常數,W是電極板的寬,L是電極板長(cháng),d是電極板間的距離,V為施加于電極板之間的電壓,是垂直于電極板的靜電力。
從以上公式可知,靜電力的大小與電極板之間的距離平方成反比,與電極板的面積成正比,降低板間距離和增加電極板面積都能增加靜電力。梳狀電極是增加面積的常用方式,在單鏡以及掃描鏡成像方式中,梳狀致動(dòng)器被廣泛采用。通常,梳狀致動(dòng)器需耗用較大硅面積,對于像素陣列而言,這將極大降低填充率,無(wú)法形成可以接受的顯示畫(huà)面。提高靜電力的更好辦法是盡可能降低電極板之間的距離。
采用盡可能低的驅動(dòng)電壓
從靜電力公式還可以看到,靜電力的大小與驅動(dòng)電壓的平方成正比。提高驅動(dòng)電壓可以有效地提高靜電力。對于便攜應用,電源通常是鋰電池,輸出電壓多為十伏以?xún)?。這就要求微鏡的驅動(dòng)電壓也必須與之相適應,基于固定應用的220V電壓驅動(dòng)電壓顯然不適合用于移動(dòng)應用中。
確定的幾何結構參數要確保微鏡具有足夠的強度和壽命
與GLV通過(guò)光柵節距的變化來(lái)實(shí)現光線(xiàn)的空間調制不同,閃耀光柵微鏡是通過(guò)微鏡的偏轉,使入射光線(xiàn)的入射角發(fā)生變化來(lái)實(shí)現光線(xiàn)的空間調制。微鏡的偏轉主要有變形、移動(dòng)、活塞和扭轉等方式。變形、移動(dòng)和活塞方式通常利用材料的變形來(lái)產(chǎn)生,例如,在壓電或聚合材料上施加電壓時(shí),能使這些材料產(chǎn)生較大尺度的變形,經(jīng)過(guò)運動(dòng)機構的作用,使材料變形轉變?yōu)殓R面的轉動(dòng)。在以上方式中,扭轉軸方式以響應速度快、黏結性低、無(wú)磨損的優(yōu)點(diǎn)被廣泛采用。扭轉微鏡結構設計時(shí)要考慮的主要內容是要能夠用盡可能低的驅動(dòng)電壓達到所需偏轉角度的同時(shí),還需保證特定材料的幾何結構能通過(guò)剪切應力的校核。
根據材料力學(xué),矩形截面扭轉軸的扭轉角由以下公式確定:
式中,T為電極板產(chǎn)生的靜電力引起的對于扭轉軸的扭矩,L為扭轉軸支點(diǎn)到扭轉軸鏡面連接點(diǎn)的長(cháng)度,G為扭轉軸所用材料的剪切彈性模量,J為矩形截面扭轉軸的慣性矩。矩形截面扭轉軸的慣性矩J由以下公式確定。
式中,a,b分別是扭轉軸矩形截面的高和寬
從扭轉角公式可以看到,扭轉軸的扭轉角度取決于材料的剪切彈性摸量、扭轉軸長(cháng)度、材質(zhì)特性以及施加的力矩。在材料以及驅動(dòng)靜電力確定的情況下,扭轉軸的截面尺寸和長(cháng)度在很大程度上影響了扭轉角的大小。當扭轉軸的扭轉剛度GJ變小時(shí),相同的驅動(dòng)電壓下可以得到較大的扭軸轉角。對于給定的扭矩和材料,計算出滿(mǎn)足所需轉角的幾何尺寸后,還需利用計算出的幾何尺寸反算扭轉軸的剪切應力,只有當剪切應力在材料的許可范圍內時(shí),才能保證扭轉軸具有可靠的壽命。
滿(mǎn)足現有的半導體工藝制程
微鏡結構設計的一個(gè)重要基礎是結構設計須基于所采用的工藝制程來(lái)展開(kāi),不能將傳統機械設計的傳統加工方法應用到微機械的設計上。微鏡結構擬訂的工藝制程為表面加工技術(shù)。為了達到較高的1024×768的分辨率,最好采用0.13微米的工藝,這需采用8英寸晶圓的生產(chǎn)線(xiàn)來(lái)生產(chǎn)。為降低試制成本,也可以先設計640×480VGA標準的顯示器,這樣,就可選用我國普遍具備的6英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)的0.5微米工藝來(lái)實(shí)施制造。
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