一種用于壓力傳感器的溫度控制系統設計
O 引言
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/162521.htm在微電子器件領(lǐng)域,針對SiC器件的研究較多,已經(jīng)取得了較大進(jìn)展,而在MEMS領(lǐng)域針對SiC器件的研究仍有許多問(wèn)題亟待解決。在國內,SiC MEMS的研究非常少,因而進(jìn)行SiC高溫MEMS壓力傳感器的研究具有開(kāi)創(chuàng )意義。碳化硅(SiC)具有優(yōu)良的耐高溫,抗腐蝕,抗輻射性能,因而使用SiC來(lái)制作壓力傳感器,能夠克服Si器件高溫下電學(xué)、機械、化學(xué)性能下降的缺陷,穩定工作于高溫環(huán)境,具有光明的應用前景。
然而當外界溫度較大時(shí),壓力傳感器受溫度影響精度不高,會(huì )產(chǎn)生零點(diǎn)漂移等問(wèn)題,從而增大測量誤差。于是嘗試加工一個(gè)腔體,把壓力傳感器和溫度傳感器放置在里面形成一個(gè)小的封閉腔體,在外界溫度較高或較低的情況下,用加熱裝置先升溫到幾十度并維持這一溫度,給壓力傳感器做零點(diǎn)補償,提高壓力傳感器的測量精度。這樣就克服了在大溫度范圍難以補償的問(wèn)題。本文對這個(gè)溫度控制系統提出了解決方案,采用了PID參數自整定控制,模糊控制屬于智能控制方法,它與PID控制結合,具有適應溫控系統非線(xiàn)性、干擾多、時(shí)變等特點(diǎn)。
1 硬件系統
用放置在腔體內的溫度傳感器測量恒溫箱內的溫度,產(chǎn)生的信號經(jīng)過(guò)放大后輸出反饋信號,再用單片機進(jìn)行采樣,由液晶顯示恒溫箱內的溫度,并通過(guò)溫度控制算法控制加熱裝置。所使用的單片機為STCl25408AD,自帶A/D轉換、EPROM功能,內部集成MAX810專(zhuān)用復位電路(外部晶振20 MHz以下時(shí),可省外部復位電路),ISP(在系統可編程)/IAP(在應用可編程),無(wú)需專(zhuān)用編程器可通過(guò)串口(P3.0/P3.1)直接下載用戶(hù)程序,數秒即可完成一片。硬件結構框圖如圖1所示。
2 系統的控制模型
電加熱裝置是一個(gè)具有自平衡能力的對象,可用一階慣性環(huán)節描述溫控對象的數學(xué)模型。
式中:K為對象的靜增益;t’為對象的時(shí)間常數。
目前工程上常用的方法是對過(guò)程對象施加階躍輸入信號,測取過(guò)程對象的階躍響應,然后由階躍響應曲線(xiàn)確定過(guò)程的近似傳遞函數。具體用科恩-庫恩(cohen-coon)公式確定近似傳遞函數。
cohn-coon公式如下:
式中:△M為系統階躍輸入;△C為系統的輸出響應;t0o.28為對象上升曲線(xiàn)為O.28△C時(shí)的時(shí)間(單位:min);t0.632為對象上升曲線(xiàn)為O.632△C時(shí)的時(shí)間(單位:min);從而求得K=O.96,t’=747 s。所以恒溫箱模型為:
3 系統的控制模型仿真及實(shí)驗結果
純PID控制有較大超調量;而純模糊控制由于自身結構的原因又不能消除穩態(tài)誤差,穩態(tài)誤差較大。所以,考慮把它們兩者相結合,實(shí)現優(yōu)勢互補。本論文采用參數模糊自整PID控制。
使用該模糊控制器在Simulink中構建整個(gè)控制系統,如圖2所示。
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