一種S波段寬帶微帶貼片天線(xiàn)陣列的設計

摘要：介紹了一種寬帶微帶貼片天線(xiàn)單元及2元陣列的設計方法，天線(xiàn)工作的中心頻率為2．5 GHz(S波段)。天線(xiàn)單元設計中采用口徑耦合理論和層疊貼片天線(xiàn)結構，有效增大了天線(xiàn)的阻抗帶寬。仿真結果表明該天線(xiàn)陣列實(shí)際增益達到11．9 dB；在2．27～2．78 GHz頻率范圍內端口駐波比小于2，相對帶寬為20．4％；交叉極化電平為-31 dB，證明該天線(xiàn)陣具有寬頻帶、低交叉極化等優(yōu)良性能。
關(guān)鍵詞：寬帶；口徑耦合；層疊貼片天線(xiàn)；微帶天線(xiàn)

0 引言
微帶天線(xiàn)是應用最廣泛的天線(xiàn)之一，它具有體積小、重量輕、低剖面、能與載體共形等優(yōu)點(diǎn)，目前已成為天線(xiàn)領(lǐng)域中研究的熱點(diǎn)之一。采用層疊貼片天線(xiàn)結構可以有效增加微帶天線(xiàn)帶寬；采用口徑耦合的饋電方式可以減少饋電網(wǎng)絡(luò )對天線(xiàn)輻射單元的耦合。
本文綜合運用口徑耦合理論、多層貼片結構設計出一種工作在S波段的寬帶微帶貼片天線(xiàn)單元，并以該天線(xiàn)單元為基礎，采用E面排列形式組成2元線(xiàn)陣。利用電磁仿真軟件對該天線(xiàn)陣進(jìn)行了仿真優(yōu)化。文中給出了仿真結果，證明該天線(xiàn)陣具有寬頻帶、低交叉極化等優(yōu)良性能。

1 天線(xiàn)單元設計
設計的天線(xiàn)單元結構如圖1所示。單元采用有利于展寬天線(xiàn)頻帶的雙層方形貼片結構，下層為激勵貼片，尺寸為46 mm；上層為寄生貼片，尺寸為40 mm。第一、二層介質(zhì)板使用介電常數較低的泡沫材料，以利于場(chǎng)的輻射，同時(shí)也降低了微帶天線(xiàn)的Q值，進(jìn)一步增加了天線(xiàn)的帶寬。第一層介質(zhì)板厚度為11 mm，第二層介質(zhì)板厚度為4 mm。第三層介質(zhì)板為饋電層，使用介電常數較高的環(huán)氧樹(shù)脂材料，以利于場(chǎng)的束縛，厚度為1 mm。第二、三層介質(zhì)板之間為開(kāi)縫接地板，在中心位置刻有一條矩形縫，縫寬為6 mm，縫長(cháng)為24 mm。第三層介質(zhì)板的下方是饋電網(wǎng)絡(luò )，微帶饋線(xiàn)采用中心正饋的方式，以增強輻射貼片與饋線(xiàn)之間的耦合，饋線(xiàn)寬度為1 mm。

仿真得到的天線(xiàn)單元的VSWR如圖2所示。在2．22～2．72 GHz的頻率范圍內VSWR小于2，相對阻抗帶寬為20％，與相對阻抗帶寬僅為5％的單層貼片微帶天線(xiàn)相比，帶寬增加了15％。該天線(xiàn)單元的實(shí)際增益達到了8．4 dB，如圖3所示。