利用MEMS技術(shù)實(shí)現移動(dòng)電話(huà)射頻設計

單鏈路解決方案

如果采用可調式的RF前端元件，那N上述所有問(wèn)題都可以避免，特別是針對目前所使用的通道可進(jìn)行單鏈路最佳化。

單鏈路方案的好處正獲得廣泛的認同，但在其建置過(guò)程依舊面臨挑戰。

可調式前端元件的研究已發(fā)展了數十年，但這項必備的技術(shù)直到目前才逐漸成熟。傳統的問(wèn)題主要出在尺寸、成本、可重復性、可靠性和性能方面，各個(gè)問(wèn)題在早期也都獲得部份的解決；然而WiSpry公司首度為市場(chǎng)帶來(lái)完整的解決方案，并適用于低成本的量a市場(chǎng)。

WiSpry公司率先將高Q值(high-Q)MEMS電容器元件整合到主流RF CMOS制程技術(shù)中，實(shí)現了大量生a、低成本制程以及高性能RF MEMS技術(shù)的優(yōu)勢。

個(gè)別的電容器元件以具有數位可變氣隙的微小平行排列電容整合在晶片上。個(gè)別旁路或串列元件整合為電容值單元，接著(zhù)形成可包含任一獨立單元組合的陣列，最終形成了具有良好電器特性的數位化電容器；其電容值比(最大/最小)超過(guò)10且Q值在1GHz時(shí)超過(guò)200以上。

該元件的制造得益于CMOS半導體制程技術(shù)的最新進(jìn)展。WiSpry公司正使用一種無(wú)晶圓制程模式，在可大量生a的主流8RF CMOS晶圓上，以單晶片整合可編程數位化電容器技術(shù)，因而免除了傳統高性能MEMS技術(shù)上因尺寸和成本帶來(lái)的困擾。

該制程流程還包含晶圓級封裝，讓代工廠(chǎng)提供的晶圓成品可在傳統的自動(dòng)化后端處理過(guò)程(如凸點(diǎn)制作、薄化、切片、封裝和測試)中直接使用，而使得高可靠性的終端a品制造可藉由傳統RF半導體制程來(lái)實(shí)現。

圖2：個(gè)別旁路或串列元件整合為電容值單元，接著(zhù)形成可包含任一獨立單元組合的陣列，最終形成了具有良好電器特性的數位化電容器；其電容值比(最大/最小)超過(guò)10且Q值在1GHz時(shí)超過(guò)200以上。

無(wú)需外部電路

那N這些元件是如何執行的？設計人員又如何使用這項技術(shù)呢？

由于這些元件的性能如同一個(gè)整合串列介面的high-Q電容器一樣，因此不需要外部電路。所有支援MEMS單元的功能都被整合在晶片上。

透過(guò)串列匯流排載入一個(gè)包含數位化電容器單元所需設置的數位字元后，內部邏輯和驅動(dòng)電路將會(huì )立即使電容值設置為特定值。

這種編程能在高速下重復設置，以制作出大量應用中所需的動(dòng)態(tài)RF功能。

隨著(zhù)可編程晶片與其他高Q值的被動(dòng)、主動(dòng)元件及支援電路被整合成客制化模組，WiSpry公司也將利用所a生的平臺為完整的RF前端提供可編程特性。

這項工作將從具有頻率可變和失配調整功能的天線(xiàn)開(kāi)始著(zhù)手，接著(zhù)RF鏈路上的其他問(wèn)題也將迎刃而解。