基于GA和PSO算法的反射陣列仿真設計
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2．2 數據優(yōu)化
反射陣列要求θ在60°～120°之間的RCS均大于-20 dB，且整體效果圖盡量好。在進(jìn)行優(yōu)化時(shí)，將優(yōu)化條件設置為大于等于20 dB，優(yōu)化范圍為60°～120°，優(yōu)化步長(cháng)為5。
優(yōu)化算法主要步驟：
(1)建立模型，將陣子間距設為變量，即需要優(yōu)化的參數；
(2)確定優(yōu)化方式；
(3)設置參數的優(yōu)化范圍和優(yōu)化步長(cháng)，以及優(yōu)化所需達到的標準，即適應度；
(4)對模型進(jìn)行計算網(wǎng)格劃分，即計算的個(gè)體，個(gè)體中包含所需優(yōu)化的尺寸信息；
(5)運行FEKO，對個(gè)體適應度進(jìn)行計算；
(6)判斷個(gè)體串適應度是否達到適應度標準，若是，則停止，若否，則繼續；
(7)重復以上迭代過(guò)程，直到滿(mǎn)足優(yōu)化標準或是達到迭代次數；
(8)軟件自動(dòng)將計算好的最優(yōu)尺寸輸出顯示，并可查看對應的RCS圖；
(9)若一種優(yōu)化算法達不到理想效果，則采用另一種算法，從第(2)步開(kāi)始運行。
兩種優(yōu)化算法的結果如圖3(b)，圖3(c)所示。
2．3 雙優(yōu)化
經(jīng)過(guò)以上兩輪優(yōu)化，已經(jīng)得到了比較理想的值，但為了使陣列更充分地使用可以利用的空間，在上述優(yōu)化參數的基礎上，采用雙優(yōu)化，即在GA中設置兩個(gè)優(yōu)化條件為：
(1)優(yōu)化范圍：60°～120°；優(yōu)化條件：≥20 dB。
(2)陣列總長(cháng)度在不超過(guò)1 000 mm的前提下盡量的長(cháng)。仿真結果如圖3(d)所示。
通過(guò)圖3可以看出，優(yōu)化算法相對于經(jīng)驗公式可以既快又好地提高陣列的性能。間距d1，d2，d3，d4分別為25．1 mm，15．3 mm，35．7 mm，5．1 mm，每組的間距個(gè)數分別為1，12，4，6，陣列關(guān)于xy平面對稱(chēng)。
3 仿真結果和實(shí)物測試結果
由于測量暗室條件的限制，無(wú)法測量原尺寸的圓柱，所以采用一條形平板代替測量。在此選用的平板尺寸為1 000 mm×16 mm，這個(gè)尺寸基本可以保持原陣列的性能。平板由兩部分組成，仿真時(shí)底層為理想吸波材料做成的介質(zhì)，頂層為理想金屬極子貼片；實(shí)物底層為環(huán)氧玻璃，頂層為銅貼片，圖4為實(shí)物圖片。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/156097.htm
為了方便測量，介質(zhì)底板采用環(huán)氧玻璃，實(shí)際投入使用時(shí)，介質(zhì)采用理想吸波材料制成的薄膜，可以任意貼在想要覆蓋的區域，經(jīng)濟方便。
將柱面改為平面之后，模型尺寸大大減小，計算量也急劇減少，因此在此之前已經(jīng)得到的優(yōu)化值基礎上進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化可以快速地得到理想的優(yōu)化參數。為了更直觀(guān)地比較陣列的優(yōu)勢，又仿真并實(shí)測了一個(gè)相同尺寸的銅板的RCS。圖5、圖6分別是仿真和實(shí)物測量的平板陣列和銅板的RCS圖。從圖5和圖6中可以看出，極子陣列相對于同等尺寸的金屬板RCS顯著(zhù)提高，并且分布更均勻，實(shí)物測量結果與仿真結果有很好的一致性。
4 結論
由上述可以看出，實(shí)測得到的曲線(xiàn)與仿真得到的曲線(xiàn)基本吻合，能夠很好地滿(mǎn)足最初的設計要求，由此說(shuō)明本文提出的軟件優(yōu)化結合經(jīng)驗公式的方法能夠準確、高效地設計出結構合理、滿(mǎn)足不同性能要求的極子陣列，并且可以在此基礎上靈活設計更加復雜的陣元和陣列拓撲結構。
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