富士通攜手東京工業(yè)大學(xué)開(kāi)發(fā)256M FeRAM

       富士通微電子（上海）有限公司日前宣布，東京工業(yè)大學(xué)（Tokyo-Tech）、富士通實(shí)驗室(Fujitsu Laboratories Ltd.)和富士通有限公司已經(jīng)聯(lián)合開(kāi)發(fā)出一種用于新一代非易失鐵電隨機存儲器(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM)的新型材料。 這種鉍、鐵、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使數據存儲容量達到目前FeRAM生產(chǎn)中使用的材料的五倍。
 
       使用基于BFO的材料，在類(lèi)似于采用180nm技術(shù)制造FeRAM的裝置內，采用富士通的65nm工藝技術(shù)就可以生產(chǎn)出新的FeRAM。這種材料的使用，可以將FeRAM的記憶容量擴展到256M bit。 

       鑒于新一代個(gè)人化移動(dòng)電子產(chǎn)品（例如IC卡）必須具有小巧、安全、易于操作等特點(diǎn)，新的FeRAM將在功耗和速度方面有大幅的改善，以便滿(mǎn)足此種需要。 對于這類(lèi)電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，FeRAM技術(shù)可以提供最適合的非易失記憶設備，預計樣品將會(huì )在2009年發(fā)布。 

       關(guān)于富士通新款FeRAM材料 

       BFO是由鉍、鐵和氧原子構成的具有鈣鈦礦型結構的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛(PZT或Pb(Zr,Ti)O3)，但是，它的蓄電能力低，可升級性有限。PZT的技術(shù)局限在130nm節點(diǎn)就會(huì )反映出來(lái)，因為隨著(zhù)存儲單元區的減少，對極化的要求就越高。這個(gè)技術(shù)局限預計將在2009年出現。以前曾開(kāi)發(fā)過(guò)一種加入錳的BFO薄膜電容器，它能夠減少泄漏電流 ，并具有180-220 µC/cm2的交換電(switching charge) Qsw, 這相當于剩余極化2Pr的兩倍。 這些都充分顯示了將來(lái)在技術(shù)節點(diǎn)方面巨大的升級潛力。 

       采用65nm技術(shù)制造的FeRAM可以使用加入錳的BFO來(lái)制造，其生產(chǎn)設備與當前使用180nm技術(shù)生產(chǎn)FeRAM所用的類(lèi)似。使用這種新材料的FeRAM還具有極大的可升級性，能夠使存儲容量達到2014。 

       應用 

       隨著(zhù)對BFO的深入開(kāi)發(fā)，大容量的256Mbit FeRAM可以得到實(shí)現，這種FeRAM與現有的1Mbit容量相比，密度將會(huì )高出2個(gè)等級。密度的提高，使得FeRAM的應用將在新的領(lǐng)域(例如，快速啟動(dòng)，它使計算機在開(kāi)機后能夠立刻使用)得到擴展，而不再僅限于在安全應用領(lǐng)域。FeRAM還可以用于電子紙設備，該設備能讓用戶(hù)瀏覽和閱讀傳統上印刷在紙張上的大量信息。富士通將會(huì )繼續其開(kāi)發(fā)和研究計劃，以便將來(lái)能夠進(jìn)行嵌入式大規模集成( LSI)。 而關(guān)于BFO材料以及BFO電容器的制造技術(shù)的研究也會(huì )持續下去。

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