用DS2119M構建SCSI終結器

DS2119M特點(diǎn)
DS2119M具有如下特點(diǎn)：
可全面兼容Ultra2、 Ultra3、Ultra160以及Ultra320 SCSI；提供LVD/SE終結工作模式；自動(dòng)選擇LVD/SE終結模式；終結阻抗誤差不超過(guò)5%；內置熱關(guān)斷電路；支持SCSI總線(xiàn)熱插拔；工作電壓2.7～5.5V。
DS2119M功能原理描述：
DS2119M是一只低電壓微分(LVD)終結模式和單端(SE)終結模式的多模式終結器專(zhuān)用集成電路。如果DS2119M終結器連結到單LVD SCSI總線(xiàn)，則DS2119M將以L(fǎng)VD終結模式工作；如果任何SE工作模式設備連接到該總線(xiàn)，則DS2119M將以SE終結模式工作；然而如果一只高電壓微分(HVD)設備被連結該總線(xiàn)，則DS2119M將使終結器與SCSI總線(xiàn)隔離。以上這些過(guò)程的變化都是由DS2119M的內部電路感測SCSI總線(xiàn)上的DIFFSENS線(xiàn)上的電壓而自動(dòng)完成的。
如圖1所示，一個(gè)參考電源給兩個(gè)放大器供電，產(chǎn)生了一個(gè)1.25V的參考電壓和一個(gè)2.85V的參考電壓。內部控制邏輯電路檢測這兩種參考電壓并提供給終結電阻。如果SCSI總線(xiàn)工作在LVD模式下，就使用1.25V的參考電壓；如果SCSI總線(xiàn)工作在SE模式下，系統將會(huì )使用2.85V的參考電壓。內部控制邏輯電路將轉換輸入輸出并聯(lián)電阻，從而改變總的終結阻抗。
DS2119M內部的DIFFSENSE電路是用以區分SE、HVD和LVD工作模式的，它將會(huì )給SCSI總線(xiàn)上的DIFFSENS線(xiàn)提供三種電壓中的一種電壓，兩只比較器和一個(gè)與非門(mén)電路將會(huì )區別出三種電壓，一種是低于0.6V，一種是高于2.15V，一種是介于兩者之間，這三種電壓分別指示SCSI總線(xiàn)工作于SE、HVD和LVD工作模式。
DS2119M的DIFFCAP腳監控SCSI總線(xiàn)的DIFFSENS線(xiàn)，以決定系統工作于何種工作模式。
DS2119M的DIFFSENSE管腳同時(shí)也驅動(dòng)SCSI總線(xiàn)的DIFFSENS線(xiàn)(MSTR/SLV置高)，以決定SCSI總線(xiàn)的工作模式，DS2119M將會(huì )根據SCSI總線(xiàn)的DIFFSENS線(xiàn)上的電壓來(lái)確定SCSI總線(xiàn)正確的終結模式(SE、HVD、LVD)。
LVD模式：LVD模式是由DS2119M內部的兩個(gè)電流源以及一系列精密電阻決定其最終終端阻抗，它提供了一個(gè)105W的微分阻抗和一個(gè)150W的共模式阻抗。在沒(méi)有設備連接到SCSI總線(xiàn)時(shí)，系統提供一個(gè)112mV的維持偏壓。
SE模式：進(jìn)入SE終結模式，SE參考電壓置2.85V，并且保持110W的終結阻抗。
HVD隔離模式：當一只高電壓微分(HVD)設備接入SCSI總線(xiàn)，DS2119M能將其自動(dòng)識別出來(lái)，同時(shí)將終結器的各相關(guān)引腳從SCSI總線(xiàn)上隔離出來(lái)。
當ISO端置高或在熱關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，終結器的各相關(guān)功能引腳將從SCSI總線(xiàn)上隔離出來(lái)，并且DIFFSENSE驅動(dòng)器關(guān)斷。
為了確保系統可靠工作，DS2119M的TPWR腳應被連接到SCSI總線(xiàn)的TERMPWR線(xiàn)上，跟所有模擬電路要求一樣，TERMPWR和VDD線(xiàn)應該就近濾波。通常在TPWR和地之間放置一只2.2mF的電解電容和一只0.01mF的高頻電容并且盡量靠近DS2119M芯片引腳。DS2119M芯片也要盡量靠近SCSI連接器，以減小電源以及信號線(xiàn)的行程，從而使輸入電容最小，減小對SCSI總線(xiàn)信號的影響。
為了保證系統按要求可靠工作，在每只DS2119M的VREF腳和地之間應該放置一只4.7mF的電解電容和一只0.1mF高頻瓷介電容。
圖2是用3片DS2119M構建的ULtra3 LVD/SE SCSI 終結器的典型應用電路。該電路外圍電路簡(jiǎn)單，元件較少，且DS2119M的外圍引腳只有28腳，排版制作很方便。由于電路簡(jiǎn)單，減少了PCB電路總布線(xiàn)量，可以改善走線(xiàn)間的串擾，提高了該SCSI終結器的可靠性。在實(shí)際運用中，我們感覺(jué)到用DS2119M構建的SCSI終結器，其終結性能比較優(yōu)越，可以改善一般SCSI終結器在傳輸距離達到8米以上誤碼率高的問(wèn)題，且兼容性較好。從理論上講，用該電路實(shí)現的SCSI終結器支持的最大數據傳輸速率可達320MB/s(雖然目前數據傳輸速率達320MB/s的SCSI設備還很少見(jiàn))。
在器件的選擇上，連接在DS2119M VREF引腳上的4.7mF電容及TPWR引腳上的2.2mF電容應選用高分子有機半導體固體電解電容器，該類(lèi)電容有著(zhù)較低的等效串聯(lián)阻抗及漏電流，有著(zhù)良好的高溫負荷特性，且使用溫度范圍較寬，使用該類(lèi)電容可以大大提高產(chǎn)品的可靠性。
另外連接在VREF及TPWR引腳上的高頻瓷介電容請用片狀電容器，這樣可降低引線(xiàn)電感，提高濾波性能。
在進(jìn)行PCB設計時(shí)請采用四層板結構型式，表面兩層為信號層，中間地層和電源層，地層電源層采用大面積布線(xiàn)型式。信號層上的過(guò)孔應盡量小且少，這樣不僅可以減小路徑電感，而且可以減少高頻信號層與層之間的相互影響。

結語(yǔ)
本文介紹的SCSI終結器有著(zhù)較強的兼容性，支持總線(xiàn)熱插拔，并且制作方便?！?BR>

圖1 DS2119M功能原理圖

圖2 SCSI終結器的典型應用電路