鐵電存儲器FM18L08在DSP系統中的應用

1 引 言

　　鐵電存儲器(FRAM)是Ramtron公司近年推出的一款掉電不揮發(fā)存儲器，它結合了高性能和低功耗操作，能在沒(méi)有電源的情況下保存數據。FRAM克服了EEPROM和FLASH寫(xiě)入時(shí)間長(cháng)、擦寫(xiě)次數低的缺點(diǎn)，其價(jià)格又比相同容量的不揮發(fā)鋰電SRAM低很多，已在地鐵系統、抄表系統及IT工業(yè)中得到了廣泛的應用。

　　TMS320VC5402(以下簡(jiǎn)稱(chēng)C5402)是美國德州儀器公司(TI)推出的一款性?xún)r(jià)比極高的16bit定點(diǎn)數字信號處理器(DSP)，操作速率可達100MIPS，它豐富的內部資源配置為用戶(hù)構造系統提供了很大便利，已經(jīng)在通信、電子、圖象處理等領(lǐng)域得到了廣泛的應用。但是，C5402是RAM型器件，掉電后不能保持任何用戶(hù)信息，所以需要用戶(hù)把程序代碼放在不揮發(fā)的存儲器內，在系統上電時(shí)，通過(guò)執行自行引導裝載(Bootloader)程序將存儲在外部媒介中的代碼裝載到C5402高速的片內存儲器或系統中的擴展存儲器內，裝載成功后自動(dòng)去執行代碼，完成自啟動(dòng)?；趯?shí)踐經(jīng)驗，本文介紹了一種并行接口鐵電存儲器FM18L08的特點(diǎn)，同時(shí)還分析了C5402 并行引導裝載模式的特點(diǎn)，給出了一種基于鐵電存儲器FM18L08和C5402接口的設計方案, 實(shí)現了基于并行引導裝載模式的DSP脫機獨立運行系統設計，并且該設計方案已成功的應用到一種語(yǔ)音門(mén)鎖系統中。

　　2 FM18L08

　　FRAM的特點(diǎn) Ramtron’s FRAM存儲器技術(shù)的核心是微小的鐵電晶體集成到記憶體單元，以至于它能象快速的不揮發(fā)RAM一樣操作。當一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體，中心原子順著(zhù)電場(chǎng)的方向移動(dòng)。 移去電場(chǎng)，中心原子保持不動(dòng)，保存記憶體的狀態(tài)， FRAM 記憶體不需要定期刷新，掉電后立即保存數據。 FM18L08是Ramtron公司近年推出的一款存儲容量為32kw8bits FRAM，其主要特點(diǎn)如下：3.0-3.65V單電源供電;并行接口;提供SOIC和DIP兩種封裝;功耗低，靜態(tài)電流小于15uA，讀寫(xiě)電流小于10mA;非揮發(fā)性，掉電后數據能保存10年;讀寫(xiě)無(wú)限次。 FM18L08引腳結構如圖1： /CE：片選 /WE：寫(xiě)使能 /OE：輸出使能 A0-A14：地址端 DQ0-DQ7：數據端 VDD：電源 VSS：地