JTAG接口在線(xiàn)燒寫(xiě)Flash的實(shí)現

　　Flash 的讀操作與傳統EPROM 讀操作相同。由于芯片使用軟件保護模式進(jìn)行操作， 用戶(hù)編程時(shí)， 只要向指定的地址寫(xiě)入指定的序列， 就可以啟動(dòng)Flash 芯片內部的寫(xiě)狀態(tài)機， 完成指定的操作。表2 為Flash 的操作命令說(shuō)明( 對芯片的擦除和編程都是按照字進(jìn)行的)， 表中所有的數據都是十六進(jìn)制數。

　　Flash 的正確操作順序： 先復位， 再擦除， 最后編程。

　　按照表2 提供的操作命令時(shí)序來(lái)實(shí)現對AM29LV800 的擦除和編程，PA 為編程地址，PD 為編程數據。Flash 擴展在CE1 空間， 起始地址是200000， 所以操作時(shí)所有地址必須加上200000。例如燒寫(xiě)工程中擦除部分命令為：

　　表2 AM29LV800B 的操作命令說(shuō)明

　　芯片擦除需要占用6 個(gè)總線(xiàn)周期， 而芯片編程需要4 個(gè)總線(xiàn)周期， 依照表3 的數據， 在每個(gè)總線(xiàn)周期對相應地址寫(xiě)入命令字就可以了。用戶(hù)一般都是對芯片進(jìn)行寫(xiě)操作， 寫(xiě)操作只能使‘1’ 變‘0’ ， 而擦除只能使‘0’ 變?yōu)?lsquo;1’ 。圖3 為擦除和編程命令波形圖， 清楚地顯示了擦除和編程操作過(guò)程。

　　圖3 擦除和編程命令波形圖

　　判斷編程或擦除的結束是當把編程或擦除的命令字按照其時(shí)序寫(xiě)入Flash 時(shí)， 在寫(xiě)編程命令時(shí)序或擦除命令時(shí)序的最后一個(gè)WE 上升沿到來(lái)之后，AM29LV800會(huì )自動(dòng)運行一個(gè)嵌入在Flash 內部的算法來(lái)判斷編程或擦除操作是否結束。采用觸發(fā)位校驗的方法， 檢測數據切換位DQ6(Toggle Bit) 的狀態(tài)， 連續讀數據會(huì )使DQ6 的值在‘0’ 和‘1’ 之間來(lái)回切換， 當編程或擦除結束時(shí)，DQ6 就停止值的切換。因此， 可以通過(guò)連續兩次讀DQ6 的值來(lái)判斷編程或擦除是否結束， 當兩次讀得的值相同時(shí)， 說(shuō)明編程或擦除結束， 否則沒(méi)有。觸發(fā)位檢測算法流程圖如圖4 所示。

　　圖4 觸發(fā)位檢測算法流程圖