東芝為射頻/模擬應用推出低功耗MOSFET用全新器件結構

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布使用CMOS兼容工藝開(kāi)發(fā)高功率增益晶體管。該晶體管可有效降低高頻射頻/模擬前端應用的功耗。詳細信息將于6月12日在2013年超大規模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì )(Symposia on VLSI Technology and Circuits)期間公布，此次研討會(huì )將于2013年6月11日至14日在日本京都舉行。

　　智能手機和平板電腦等無(wú)線(xiàn)和移動(dòng)設備的快速增長(cháng)正推動(dòng)對低功耗和高性能射頻/模擬電路的需求。但是，由于晶體管擴展會(huì )導致噪音和能量增益效率的下降，因此很難將數字電路廣泛使用的先進(jìn)設備和工藝技術(shù)應用至射頻/模擬電路。

　　東芝通過(guò)一種新設備結構(使用兩種不同材料作為一個(gè)金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET的柵電極)和一種工藝整合方案(采用廣泛使用的常見(jiàn)半導體制造方法)解決了這一問(wèn)題。這種方法實(shí)現了納米級柵長(cháng)控制。

　　晶體管的實(shí)驗結果表明功耗顯著(zhù)降低，并且作業(yè)速度沒(méi)有出現任何下降。

　　這種設備結構的獨特特征是兩種材料(n型硅和p型硅)之間的薄氧化物阻擋膜，這種膜可以抑制雜質(zhì)互擴散。柵電極區域中可以實(shí)現高電場(chǎng)，從而提高放大器效率。不同的柵電極材料采用不同的柵氧化膜厚度。這種結構在飽和狀態(tài)下可實(shí)現控制良好的設備屬性，即便在低工作電壓下也可實(shí)現。

　　這種新設備制造工藝還適用于高級數字大規模集成電路制造所使用的高介柵極絕緣層。