聯(lián)電宣布與IBM共同開(kāi)發(fā)10奈米CMOS制程
晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電(UMC)日前與IBM 共同宣布,聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟,共同開(kāi)發(fā)10納米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議,拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協(xié)議。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/146516.htm擁有IBM的支援與know-how,聯(lián)電將可持續提升其內部自行研發(fā)的14納米FinFET 技術(shù),針對行動(dòng)運算與通訊產(chǎn)品,提供富競爭力的低耗電優(yōu)化技術(shù)。雙方計劃開(kāi)發(fā) 10納米制程基礎技術(shù),以滿(mǎn)足聯(lián)電客戶(hù)的需求。聯(lián)電將指派工程團隊加入位于美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10納米研發(fā)計劃,而聯(lián)電14納米FinFET與10納米未來(lái)的制造,則將于該公司位在臺灣南科的研發(fā)中心進(jìn)行。
IBM半導體研發(fā)副總Gary Patton表示:「IBM聯(lián)盟成立至今已逾十年,聯(lián)盟夥伴可整合運用我們的專(zhuān)業(yè)知識,團隊研究合作與創(chuàng )新的技術(shù)研發(fā),藉此滿(mǎn)足對先進(jìn)半導體應用產(chǎn)品與日俱增的需求。聯(lián)華電子的加入,將使聯(lián)盟的實(shí)力更加強大?!?/p>
聯(lián)電執行長(cháng)顏博文表示:「IBM為眾所公認的半導體技術(shù)領(lǐng)導者。聯(lián)華電子十分高興與IBM在先進(jìn)制程領(lǐng)域攜手合作,貢獻我們多年來(lái)開(kāi)發(fā)高競爭力制造技術(shù)所累積的經(jīng)驗。身為世界頂尖的晶圓專(zhuān)工廠(chǎng)之一,聯(lián)華電子肩負著(zhù)適時(shí)推出尖端制程,以實(shí)現客戶(hù)次世代晶片設計的使命與承諾。我們期待與IBM密切合作,借重其深厚的技術(shù)專(zhuān)業(yè)來(lái)縮短我們10納米與FinFET 的研發(fā)周期,為聯(lián)華電子與我們的客戶(hù)締造雙贏(yíng)?!?/p>
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