國際IC業(yè)：形態(tài)已變化,多屏SOC架構融合

　　CSIP(工信部軟件與集成電路促進(jìn)中心)在2012年11月的研究報告中指出：

　　1、全球IC產(chǎn)業(yè)形態(tài)發(fā)生變化，虛擬IDM模式起步

　　以Intel的20nm生產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)為標志，全球集成電路產(chǎn)業(yè)有走向類(lèi)IDM模式的趨勢。過(guò)去幾年，Freescale、NXP等半導體公司紛紛關(guān)停生產(chǎn)線(xiàn)，走輕資產(chǎn)的外包模式，根本原因是新一代工藝半導體生產(chǎn)線(xiàn)的成本呈飛漲之勢，風(fēng)險巨大，這些企業(yè)無(wú)力承擔開(kāi)發(fā)下一代工藝技術(shù)的高昂費用。

　　20nm以下的工藝技術(shù)極其復??雜，需要新的曝光設備及EDA工具，一條20nm生產(chǎn)線(xiàn)在整個(gè)壽命周期內的開(kāi)支高達300-500億美元，僅有Intel、三星等少數巨頭有足夠的資本投入。而且進(jìn)入到20nm以后，先進(jìn)工藝對成本降低的左右逐步降低。Intel從45nm到32nm可降低10.1%成本，但由32nm推進(jìn)至22nm卻僅降低3.3%成本，預計到14nm以后，單位面積的成本不降反升。另一方面，隨著(zhù)20nm以下工藝難度與投資劇增，半導體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入后摩爾定律(Post-Moo??re's Law)時(shí)代，轉向2.5D/3D IC的SoC技術(shù)支線(xiàn)發(fā)展。先進(jìn)制程將加速平面互補式金屬氧化物半導體工藝走向盡頭，FinFET與異質(zhì)芯片堆疊技術(shù)將走上舞臺。Foundry、芯片設計公司必須緊密合作，組成虛擬IDM的聯(lián)合體，才能保證產(chǎn)品良率和生產(chǎn)效率，降低投資風(fēng)險。

　　2、多屏SOC架構趨于融合，低功耗、低成本成為競爭方向

　　隨著(zhù)智能手機、平板電腦、智能電視多屏應用融合，高性能、低功耗、低成本的規格需求趨同，以及以ARM-Android為基礎的全球智能生態(tài)系統形成，導致各種屏智能產(chǎn)品的SOC主芯片關(guān)鍵技術(shù)與架構趨于融合。合理規劃后的同一套SOC關(guān)鍵技術(shù)與架構，可基于不同配置，分別用于智能手機、平板電腦和智能電視，有利于實(shí)現數字家庭的多種應用。

　　采用先進(jìn)的制程，不斷提高集成度，實(shí)現更快速度、更多功能、更低的功耗和成本是芯片產(chǎn)業(yè)競爭的永恒法則，尤其是中國市場(chǎng)上，低功耗與低成本成為產(chǎn)業(yè)化競爭的重要手段，對建立節約型社會(huì )具有重要意義，而這一切離不開(kāi)SOC芯片的架構設計與技術(shù)積累支撐。持續地對于低功耗、低成本的研究與探索也必將在相當長(cháng)時(shí)間成為國內IC設計產(chǎn)業(yè)競爭的焦點(diǎn)。