Spansion在NOR閃存市場(chǎng)的新進(jìn)展

　　作為NOR閃存最重要的領(lǐng)導廠(chǎng)商之一，Spansion公司最近發(fā)布了其并行NOR閃存的最新產(chǎn)品，業(yè)界首款45nm單芯片8Gb NOR閃存。該系列產(chǎn)品是Spansion GL并行NOR產(chǎn)品線(xiàn)的最新成員，也是65nm Spansion GL-S產(chǎn)品系列的補充。Spansion公司NOR產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)副總裁Jackson Huang介紹說(shuō)，Spansion GL-T 45nm 8Gb NOR閃存的讀取速度可達95MB/s，編程速度為1.8MB/s，是目前市面上讀取速度最快的產(chǎn)品同時(shí)也是目前市面上最高容量的NOR Flash，該產(chǎn)品主要針對消費、汽車(chē)、游戲、電信和工業(yè)等應用。該系列產(chǎn)品正式量產(chǎn)時(shí)將由SMIC武漢工廠(chǎng)代工，Jackon Huang表示對產(chǎn)品的良率很滿(mǎn)意，在市場(chǎng)上非常有競爭力，并沒(méi)有透露具體的產(chǎn)品良率。

Spansion公司NOR產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)副總裁Jackson Huang

　　Spansion一如既往采用了Spansion的MirroBit技術(shù)來(lái)制造最新的GL-T系列NOR閃存。目前MirrorBit技術(shù)主要是使用Spansion的并行NOR閃存和SPI產(chǎn)品上，是Spansion獨有的技術(shù)，沒(méi)有直接授權給其它公司使用。Jackson Huang介紹說(shuō)，和傳統的浮柵技術(shù)相比，MirrorBit主要優(yōu)點(diǎn)是：存儲單元的結構更簡(jiǎn)單，縱向上比浮柵更??；能夠降低耦合與干擾，從而提高性能和可靠性；易于實(shí)現生產(chǎn)。MirroBit實(shí)質(zhì)上是一種電荷陷阱技術(shù)，最早是在Spansion從AMD獨立出來(lái)之前，由AMD在2002年發(fā)布。有資料稱(chēng)，最初開(kāi)發(fā)該技術(shù)是為了降低NOR閃存的制造成本，提高NOR閃存的存儲密度，并與Intel的MLC（Multi-Level Cell）NOR技術(shù)在成本上相抗衡。MirrorBit和傳統浮柵最明顯的區別在于，MirrorBit技術(shù)使用了一個(gè)電荷陷阱層來(lái)替代傳統的浮柵，電荷陷阱層是絕緣體，而浮柵是導體。MirrorBit同時(shí)也利用了用于存儲電荷的氮化物不導電的特性，讓兩個(gè)bit可以共享同一個(gè)存儲單元。

MirrorBit技術(shù)示意圖


浮柵技術(shù)和MirrorBit對比

　　雖然Spansion最近在NOR閃存方面市場(chǎng)表現不錯，但是，放眼整個(gè)NOR閃存的總體市場(chǎng)，似乎有增長(cháng)放緩、甚至是逐漸萎縮下滑的趨勢，特別是受到NAND閃存的沖擊，前景似乎面臨了重大挑戰。有資料表明，2010年使用NOR閃存的手機占14%，而現在已經(jīng)降至7%以下，被NAND取代了大量份額。對于NOR閃存市場(chǎng)的走勢，Jackon Huang認為：“我們認為NOR閃存市場(chǎng)還是相當穩固的。NOR里面分成兩大類(lèi)，一種是并行的，還有一種是SPI的NOR閃存?，F在低階的并行NOR閃存逐漸被SPI所取代，但中高階的市場(chǎng)還是非常穩固的，這也正是我們公司產(chǎn)品所針對的目標市場(chǎng)。”

　　筆者認為，NOR閃存的編程、擦寫(xiě)速度是其最致命的短板。雖然和NAND閃存相比，NOR閃存的可靠性更高，但在分量極重的消費電子產(chǎn)品市場(chǎng)，面對NAND閃存的價(jià)格優(yōu)勢以及不可同日而語(yǔ)的寫(xiě)入速度，NOR閃存被NAND閃存所取代，并不是不可能的事?，F在NOR閃存應該做的，或許是守住那些對讀取速度和可靠性要求高，但不強調寫(xiě)入速度的應用領(lǐng)域，例如汽車(chē)、工業(yè)、醫療，或是消費電子的系統固件等。