觸控面板制程之化學(xué)二次強化的應用與制程問(wèn)題討論

 

　　(2) 化學(xué)蝕刻制程溫度的管控：蝕刻制程為放熱反應，若溫度控制無(wú)法在適當的制程溫度范圍內將影響蝕刻速率的快慢。如圖13兩組實(shí)驗數據討論所示，數據1玻璃蝕刻為放熱反應：起始溫度 28.1 ℃升至35.4 ℃à 提高7.3 ℃，數據2玻璃蝕刻為放熱反應：起始溫度 34.8 ℃升至36.9 ℃à 提高2.1 ℃，不同起始溫度經(jīng)過(guò)長(cháng)時(shí)間取樣測量發(fā)現蝕刻溫度逐漸增加，又蝕刻溫度影響著(zhù)蝕刻速率的變化，故選擇一個(gè)溫度點(diǎn)可接近放熱反應的最終溫度，可以穩定蝕刻速率和制程速率，這是化學(xué)二次強化制程調控上的重點(diǎn)?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/135797.htm

 

　　(3) 玻璃砂過(guò)濾處理問(wèn)題：

　　HF與SiO2反應會(huì )生成H4SiO4，而H4SiO4會(huì )沉淀下降形成所謂的玻璃砂，在蝕刻制程中若蝕刻時(shí)間越久，蝕刻玻璃的量就會(huì )越多，而玻璃砂就產(chǎn)生越多，玻璃砂若沉積在蝕刻槽體沒(méi)有排除將影響玻璃蝕刻速率與表面質(zhì)量，因此玻璃段面就容易出現凸點(diǎn)或是蝕刻不均的現象，影響蝕刻后的機械強度和模塊的組裝質(zhì)量，所以化學(xué)二強制程中玻璃砂的過(guò)濾效果是否良好將決定產(chǎn)品出貨時(shí)的良率狀況。

　　(4) 蝕刻槽體較佳流場(chǎng)設計與過(guò)濾系統整合：

　　若槽體流場(chǎng)設計不佳會(huì )導致玻璃砂無(wú)法有效的由玻璃表面帶走，也會(huì )影響產(chǎn)品的質(zhì)量，較佳的流場(chǎng)設計也會(huì )讓酸液在最短時(shí)間內有效的混合均勻，讓槽體各部位的蝕刻能力達到一致性，讓產(chǎn)品蝕刻均勻度效果更佳;玻璃砂堆積嚴重者會(huì )堵塞機臺管路，影響供酸循環(huán)系統效果，嚴重者影響蝕刻效率，使產(chǎn)品4pb改善效果降低，一般會(huì )設置過(guò)濾器(filter)來(lái)改善玻璃砂的問(wèn)題。故設計良好的過(guò)濾系統和流場(chǎng)較佳的蝕刻槽體，是化學(xué)二強設備設計的重點(diǎn)。

　　六. 結論

　　基于觸控產(chǎn)業(yè)陸續蓬勃發(fā)展，觸控產(chǎn)品本身的規格要求也日漸嚴苛，所有觸控面板出貨前都要批次性測試4pb test或是ball on ring test，且依據觸控產(chǎn)品應用性其規格也各別定義，大部分的觸控業(yè)者在玻璃切割制程都采用鉆石刀輪切割外加精雕制程，雷射切割也有部分業(yè)者使用但成本過(guò)高，量產(chǎn)能力不佳，而且經(jīng)過(guò)實(shí)驗線(xiàn)數據得知近30%的雷射切割產(chǎn)品機械抗壓性不足，需要進(jìn)行二次強化(意即30%的4pb out spec)，因此玻璃二強制程設備是目前各LCD與觸控面板業(yè)界急需擴充的重要投資之一，本文已經(jīng)針對影響玻璃強化的重要制程參數，如：HF濃度控制、蝕刻溫度控制、玻璃砂過(guò)濾、蝕刻槽體流場(chǎng)設計與過(guò)濾系統整合概念等，進(jìn)行詳細探討與解說(shuō)。弘塑科技公司(GPTC)在半導體濕式設備已經(jīng)有超過(guò)10年以上的豐富經(jīng)驗，以半導體的設備開(kāi)發(fā)規格與理念，加上對于化學(xué)清洗與蝕刻制程深入研究，運用在玻璃蝕刻和玻璃強化領(lǐng)域，可創(chuàng )造出更具有附加價(jià)值的技術(shù)，目前弘塑科技的薄化設備和強化設備已獲得臺灣各TFT-LCD與觸控一線(xiàn)大廠(chǎng)(如：AUO、GTOC、Cando、CPTF等)的認同與肯定，設備的安全性、穩定性、精準性向來(lái)是弘塑科技產(chǎn)品設備基本的訴求，未來(lái)如2.5D或是3D的玻璃強化也將是弘塑科技在技術(shù)上發(fā)展的指標之一。