飛兆擴大P通道PowerTrench? MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)

　　幫助蜂窩手機及其他便攜式應用設計人員改善電池充電和負載開(kāi)關(guān)，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 經(jīng)擴大了其 P 通道 PowerTrench^® MOSFET 產(chǎn)品線(xiàn) 。

　　FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具備 MicroFET™ MOSFET 包裝，并按照它們的物理尺寸(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm) 提供卓越熱性能，讓它們完全匹配開(kāi)關(guān)和線(xiàn)性模式應用。 在 20V 的額定電壓下，設備提供低通路電阻。 為預防靜電放電 (ESD) 失敗，FDMA910PZ 和 FDME910PZT 裝有優(yōu)化穩壓二極管保護設備，這也將使最大額定 IGSS 泄漏從 10μA 降至 1μA?！　?/p>

　　特色及優(yōu)勢：

　　FDMA910PZ

• 最大 RDS = 20 mΩ，需 VGS = -4.5V，ID = -9.4 A
• 最大 RDS = 24 mΩ，需 VGS = -2.5V，ID = -8.6 A
• 最大 RDS = 34 mΩ，需 VGS = -1.8V，ID = -7.2 A
• 低配置-配備 HBM ESD 保護的 MicroFET 2 X 2 mm 包裝最大為 0.8 mm級別 > 2.8kV 標準

　　PDME910PZT

• 最大 RDS= 24mΩ，需 VGS = -4.5 V，ID = -8A
• 最大 RDS= 31mΩ，需 VGS = -2.5 V，ID = -7A
• 最大 RDS= 45mΩ，需 VGS = -1.8 V，ID = -6A
• 低配置： 配備 HBM ESD 保護的 MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包裝最大為 0.55 mm級別 > 2kV 標準

　　FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻，并且為 RoHS 兼容。 兩種設備都提供低電壓安全操作，并適用于手機和便攜式設備。