TriQuint推出高性能低噪聲放大器

　　技術(shù)創(chuàng )新的射頻解決方案領(lǐng)導廠(chǎng)商TriQuint半導體公司(納斯達克股票代碼：TQNT)，開(kāi)始供應兩款表面貼裝式封裝的低噪聲放大器(LNA)TQP3M9036和TQP3M9037的初始樣品，為面向基站和類(lèi)似應用的集成、封裝解決方案提供最低的噪聲系數?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/135557.htm

　　這些采用TriQuint砷化鎵E-pHEMT工藝的新器件，包括工作頻率為400至1500 MHz、噪聲系數為0.45 dB的TQP3M9036和工作頻率為1500至2700 MHz、噪聲系數為0.40 dB的TQP3M9037。兩款放大器均非常適用于基礎設施應用，如蜂窩基站、塔頂放大器(TMA)、小蜂窩無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、中繼器、700 MHz LTE網(wǎng)絡(luò )以及使用UHF頻譜中“空白信號頻譜”(white space)的新興無(wú)線(xiàn)系統。

　　TriQuint新的解決方案將通常由外部元件整合的關(guān)鍵功能集成在芯片上和封裝之內，因而簡(jiǎn)化了射頻設計。新的低噪放還解決TDD-LTE市場(chǎng)對集成數字關(guān)機偏置能力日益增長(cháng)的要求，并且可以從偏置電壓+3 V至+5 V提供高性能，無(wú)需負電源電壓。偏置網(wǎng)絡(luò )通過(guò)電流反射鏡和反饋電保持對溫度變化的穩定性;并且還提供了數字斷電功能的開(kāi)關(guān)電路。TriQuint的新低噪聲放大器已經(jīng)進(jìn)行了最優(yōu)化的片上配置，來(lái)提供最佳的噪聲系數、線(xiàn)性度和可靠性的組合。

　　這兩款TriQuint的新器件都與TriQuint產(chǎn)品組合中同類(lèi)產(chǎn)品引腳兼容，并安裝在符合RoHS規范的行業(yè)標準，2x2毫米，8引腳DFN的封裝。他們是極為堅固的器件, 能阻斷高功率干擾輸入信號或大于 +22 dBm的發(fā)射功率泄漏 。這些器件還絕對穩定，可消除潛在的振蕩。TQP3M9036和TQP3M9037均內部匹配50歐姆，操作時(shí)不需要任何外部匹配電路。

　　技術(shù)細節：　　

　　目前供應TQP3M9036和TQP3M9037的初始樣品，預計將于2012年9月開(kāi)始量產(chǎn)。