瑞薩科技擴展Powerchip Semiconductor

                          閃存領(lǐng)域的商業(yè)合作關(guān)系


     東京和臺北，2006年6月1日——瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）與力晶半導體股份有限公司（Powerchip Semiconductor，PSC）今天宣布，兩家公司已簽署一項制造協(xié)議和一項技術(shù)及銷(xiāo)售授權協(xié)議。兩項協(xié)議均適用于瑞薩的4Gb AG-AND閃存器件。

     新的協(xié)議建立在兩家公司之間在1Gb存儲器件領(lǐng)域的現有合作關(guān)系之上，擴展了瑞薩與Powerchip Semiconductor之間的商業(yè)合作范圍。這一進(jìn)展將通過(guò)進(jìn)一步增加AND閃存資源為用戶(hù)提供更多的便利。

    瑞薩將通過(guò)重新調整戰略焦點(diǎn)產(chǎn)品如系統級大規模集成電路（LSI）來(lái)加速資源的選擇和集中管理。

    除了其目前的兩條300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)12A/12B外，BPSC正在將設備轉向其新近采用的Fab 12M晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，以便生產(chǎn)出高密度閃存，這也將進(jìn)一步鞏固PSC滿(mǎn)足快速增長(cháng)的閃存市場(chǎng)的能力。