飛兆與英飛凌簽署汽車(chē)級封裝工藝許可協(xié)議

　　英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車(chē)級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤(pán)的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標準的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。

　　這種封裝適用于大電流汽車(chē)應用，包括混合動(dòng)力汽車(chē)的電池管理、電動(dòng)助力轉向系統(EPS)、主動(dòng)式發(fā)電機和其他重載電氣系統。TO-Leadless封裝是首個(gè)實(shí)現300安培電流能力的封裝。這種封裝相對于現有的D2PAK，PCB板面積和高度分別降低20%和50%，從而大幅節省空間?！　?/p>

　　開(kāi)發(fā)全新的啟停系統、電動(dòng)助力轉向系統、電池管理和主動(dòng)式發(fā)電機，以滿(mǎn)足更苛刻的能效和排放要求的汽車(chē)電子公司，正在尋求各種創(chuàng )新解決方案，但他們還必須最大程度規避僅從一家供應商采購器件的風(fēng)險。為確?？煽康钠骷?，飛兆半導體與英飛凌簽署該許可協(xié)議，旨在將領(lǐng)先業(yè)界的TO-Leadless MOSFET封裝解決方案應用于汽車(chē)行業(yè)，同時(shí)最大程度降低從一家供應商采購器件的風(fēng)險。

　　飛兆半導體公司計劃將TO-Leadless功率器件封裝工藝應用于其最新的MOSFET技術(shù)。采用TO-Leadless封裝的首批MOSFET樣品，預計將于2012年下半年開(kāi)始提供，批量生產(chǎn)有望于2013年中期開(kāi)始。

　　飛兆半導體汽車(chē)業(yè)務(wù)部副總裁Marion Limmer指出：“憑借多年來(lái)在汽車(chē)行業(yè)積累的豐富經(jīng)驗，飛兆半導體在滿(mǎn)足當前各大汽車(chē)廠(chǎng)商的功率半導體需求方面，遙遙領(lǐng)先。通過(guò)采用這種TO-Leadless功率器件封裝工藝，飛兆半導體幫助設計人員充分利用最新的低阻MOSFET技術(shù)，從而進(jìn)一步提高我們在汽車(chē)市場(chǎng)的份額。”

　　英飛凌科技股份公司汽車(chē)電子業(yè)務(wù)部總裁Jochen Hanebeck表示：“擁有這個(gè)協(xié)議，汽車(chē)行業(yè)將受益于從其他可靠供應商訂購空間、能效及性能方面具備優(yōu)勢的大電流功率器件。作為汽車(chē)功率應用技術(shù)的領(lǐng)導者，英飛凌利用其技術(shù)專(zhuān)長(cháng)為汽車(chē)系統供應商提供可提高能效和性能的MOSFET，同時(shí)還可最大程度降低從一家供應商采購的風(fēng)險。”

　　飛兆半導體與世界領(lǐng)先的汽車(chē)制造商和系統供應商合作，開(kāi)發(fā)出廣泛支持汽車(chē)應用的半導體解決方案，包括優(yōu)化現代汽車(chē)的電源管理架構、降低燃耗和環(huán)境污染等等。