科銳推出SPICE模型

　　碳化硅(SiC)功率器件的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出支持業(yè)界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面認證的SPICE模型。新型SPICE模型能夠幫助電路設計人員輕松地進(jìn)行效益評估。與同級別的傳統硅功率開(kāi)關(guān)器件相比，科銳碳化硅Z-FET  MOSFET功率器件能夠實(shí)現更高的效率。

　　科銳碳化硅MOSFET器件擁有與傳統硅器件顯著(zhù)不同的特點(diǎn)，因此需要一個(gè)具有碳化硅特性的模型進(jìn)行精確的電路仿真?；诳其J技術(shù)且不受溫度影響的SPICE模型能夠與LTspice仿真程序兼容，使得電力電子設計工程師能夠在電路系統設計中可靠地仿真評估科銳CMF10120D 和CMF20120D Z-FET器件先進(jìn)的開(kāi)關(guān)性能。

　　科銳碳化硅MOSFET器件的開(kāi)關(guān)頻率較采用 IGBT 的解決方案可高出10倍。由于擁有更高的開(kāi)關(guān)頻率，便能夠使用較小磁性和電容性的元件，從而可以減小電力電子系統的整體尺寸，降低重量和成本。

　　科銳碳化硅MOSFET SPICE模型作為科銳全套產(chǎn)品之一，與輔助工具、技術(shù)文件以及可靠性信息一起，為電力電子工程師提供必要的設計資源，從而推動(dòng)碳化硅功率器件在新一代電源系統中的應用。