ST推出采用能量收集技術(shù)的先進(jìn)雙接口存儲器

　　· 400 kHz低功耗I2C接口

　　· 1.8V到5.5V電源電壓

　　· Vout模擬輸出(能量收集)

　　· 射頻(RF)狀態(tài)數字輸出

　　M24LR16E現已投入量產(chǎn)，封裝采用SO8、TSSOP8或MLP8貼裝。新產(chǎn)品可按照客戶(hù)要求提供裸片。

　　詳細技術(shù)信息

　　意法半導體的雙接口存儲器是EEPROM非易失性存儲器，用于存儲系統參數、外部輸入數據或軟件代碼。每款產(chǎn)品均配備兩個(gè)不同的接口，1個(gè)I2C串行接口和1個(gè)無(wú)線(xiàn)射頻接口，其中射頻接口兼容ISO-IEC 15693 RFID 13.56MHz射頻標準和ISO15693 NFC系統。該存儲器能夠像標準串口EEPROM一樣通過(guò)串行通信接口與主機系統器通信，消費者也可使用RFID讀寫(xiě)機或手機直接讀寫(xiě)存儲器。無(wú)線(xiàn)通信需要一個(gè)天線(xiàn)可在印刷電路板上被簡(jiǎn)易蝕刻。

　　芯片內置一個(gè)數據保護機制，包括32位密碼保護，防止數據安全受到威脅，如意外覆寫(xiě)和非法訪(fǎng)存或篡改數據。

　　新產(chǎn)品 M24LR16E增加一個(gè)電源管理電路，能夠收集外界的能量并轉換成電能，通過(guò)一個(gè)輸出引腳向印刷電路板上的其它器件供電。標稱(chēng)輸出電壓范圍為1.7V至2.3V，讓存儲器能夠驅動(dòng)多種類(lèi)芯片，包括低壓CMOS芯片。

　　驅動(dòng)外部器件的有效電量與多種因素有關(guān)，如讀寫(xiě)機的射頻功率、讀寫(xiě)機與存儲器所連天線(xiàn)的距離，以及讀寫(xiě)機與存儲器天線(xiàn)的相對尺寸。在射頻讀寫(xiě)或近距離通信范圍內，如射頻功率足夠強，消費者可使用1個(gè)RFID芯片驅動(dòng)多個(gè)設備。EEPROM的能量收集模式可打開(kāi)或關(guān)閉，通過(guò)設置一個(gè)內部寄存器可在300µA至6mA范圍內調整最大輸出電流。

　　為了演示雙接口 M24LR16E EEPROM的能量收集功能，意法半導體已發(fā)布ROBOT-M24LR16E-A評估板。