安森美半導體完整ESD及EMI保護方案

　　除了ESD鉗位屏幕截圖，另一種方法是測量傳輸線(xiàn)路脈沖(TLP)來(lái)評估ESD鉗位性能。由于ESD事件是一個(gè)很短的瞬態(tài)脈沖，TLP可以測量電流與電壓(I-V)數據，其中每個(gè)數據點(diǎn)都是從短方脈沖獲得的。TLP I-V曲線(xiàn)和參數可以用來(lái)比較不同TVS器件的屬性，也可用于預測電路的ESD鉗位性能。

　　圖3：典型TLP I-V曲線(xiàn)圖

　　安森美半導體提供的高速接口ESD保護保護器件陣容有兩種類(lèi)型。第一類(lèi)最容易實(shí)現，被稱(chēng)為傳統設計保護。在這種類(lèi)型設計中，信號線(xiàn)在器件下運行。這些器件通常是電容最低的產(chǎn)品。

　　另一類(lèi)是采用PicoGuard® XS技術(shù)的產(chǎn)品。這種類(lèi)型設計使用阻抗匹配(Impedance Matched)電路，可保證100 Ω的阻抗，相當于電容為零。這類(lèi)設計無(wú)需并聯(lián)電感，有助于最大限度地減少封裝引起的ESD電壓尖峰。

　　圖4：傳統方法與PicoGuard® XS設計方法的對比

　　安森美半導體的保護和濾波解決方案均基于傳統硅芯片工藝技術(shù)。相比之下，其它類(lèi)型的低成本無(wú)源解決方案使用的是陶瓷、鐵氧體和多層壓敏電阻(MLV)組合的材料。這類(lèi)器件通常ESD鉗位性能較差。在某些情況下，傳遞給下游器件的能量可能比安森美半導體解決方案低一個(gè)量級。一些采用舊有技術(shù)的產(chǎn)品甚至可能在小量ESD沖擊后出現劣化并變得更糟。由于其材料性質(zhì)，一些無(wú)源器件往往表現出溫度的不一致性，從而降低了終端系統在標準消費溫度和環(huán)境溫度范圍內運行的可靠性。