安森美半導體推出有源時(shí)鐘產(chǎn)生器IC

　　應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出新系列的有源時(shí)鐘產(chǎn)生器集成電路(IC)，管理時(shí)鐘源的電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI)，為所有依賴(lài)于時(shí)鐘的信號提供降低全系統級的EMI。

　　新的P3MS650100H及P3MS650103H 低壓互補金屬氧化物半導體(LVCMOS) 降低峰值EMI時(shí)鐘產(chǎn)生器非常適合用于空間受限的應用，如便攜電池供電設備，包括手機及平板電腦。這些便攜設備的EMI/RFI可能是一項重要挑戰，而符合相關(guān)規范是先決條件。這些通用新器件采用小型4引腳WDFN封裝，尺寸僅為1 mm x 1.2 mm x 0.8 mm。這些擴頻型時(shí)鐘產(chǎn)生器提供業(yè)界最小的獨立式有源方案，以在時(shí)鐘源和源自時(shí)鐘源的下行時(shí)鐘及數據信號處降低EMI/RFI。

　　P3MS650100H及P3MS650103H支持的輸入電壓范圍為1.8伏(V)至3.3 V，典型偏差為0.45%至1.4%，在時(shí)鐘源降低EMI/RFI的頻率范圍在15兆赫茲(MHz)至60 MHz。工作溫度范圍為-20 ºC至+85 ºC。

　　安森美半導體定制工業(yè)及時(shí)序產(chǎn)品副總裁Ryan Cameron說(shuō)：“需要符合EMI規范同時(shí)控制成本及把印制電路板(PCB)占用面積減至最小，是移動(dòng)應用的重要挑戰。我們新的降低EMI IC克服這些挑戰，提供在時(shí)鐘源及源自時(shí)鐘源的下行時(shí)鐘及數據信號處降低EMI/RFI的高性?xún)r(jià)比方案。設計工程師在設計周期及早采用這些器件，可無(wú)須其他方案及加入成本不菲的額外PCB層或屏蔽來(lái)處理EMI/RFI問(wèn)題。”

　　安森美半導體計劃在2012年第1季度推出這系列更多針對不同頻率范圍及派生版本的IC。