新應用帶動(dòng)IGBT革新

　　國內企業(yè)還要著(zhù)力提升

　　當前，全球IGBT技術(shù)主要集中在歐美和日本企業(yè)手中，并已經(jīng)發(fā)展到了第六代，而我國只有少數企業(yè)從事IGBT的開(kāi)發(fā)。據了解，主導廠(chǎng)商包括比亞迪、山東科達、無(wú)錫鳳凰、吉林華微、江蘇宏微等，比亞迪從芯片、模塊都自主開(kāi)發(fā)和制造，目前已在其電動(dòng)汽車(chē)上有應用。山東科達、無(wú)錫鳳凰、吉林華微、江蘇宏微等都已開(kāi)發(fā)了IGBT，并已應用到電磁爐等市場(chǎng)。

　　北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院微電子學(xué)與固體電子學(xué)教授亢寶位介紹說(shuō)，國內在IGBT芯片和模塊封裝上都有差距，但封裝方面的差距正在縮小。國內某些廠(chǎng)商宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)了IGBT芯片，但應用還比較少，還需要時(shí)間來(lái)檢驗其性能。

　　“國內目前的模式除了比亞迪、吉林華微外，大部分企業(yè)都找華潤上華、華虹NEC、上海先進(jìn)等代工廠(chǎng)制造IGBT芯片，而三菱電機、英飛凌等大都‘一手包辦’，只有一部分低端IGBT放在中國代工廠(chǎng)來(lái)做。而中國現有的這種模式能否成功，還需要時(shí)間檢驗。”亢寶位表示。最近中國大陸投資興建了IGBT8英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)，但亢寶位指出，如同IC一樣，其生產(chǎn)線(xiàn)一旦開(kāi)工就不能停，如果接受程度不高、開(kāi)工量不足的話(huà)，每天都要承擔很高的損失。因而，還需要把基礎夯實(shí)才有戲。

　　目前有的企業(yè)試圖以GaN及SiC之類(lèi)的新材料為契機參與市場(chǎng)，但功率半導體的準入門(mén)檻相當高，不是那么輕易就能涉足的?？簩毼唤ㄗh，國內企業(yè)應從低功率IGBT入手，先做低端，慢慢積累經(jīng)驗，再向中高端轉移，因為IGBT最重要的還是材料和工藝，是否擁有制造技術(shù)方面的經(jīng)驗是決定成敗的關(guān)鍵，這還需要花費時(shí)間去摸索。