TSMC建構完成28納米芯片設計生態(tài)環(huán)境

       TSMC日前宣布，已順利在開(kāi)放創(chuàng )新平臺(Open Innovation Platform)上，建構完成28納米設計生態(tài)環(huán)境，同時(shí)客戶(hù)采用TSMC開(kāi)放創(chuàng )新平臺所規劃的28納米新產(chǎn)品設計定案(tape out)數量已經(jīng)達到89個(gè)。TSMC亦將于美國加州圣地亞哥舉行的年度設計自動(dòng)化會(huì )議(DAC)中，發(fā)表包括參考流程12.0版(Reference Flow 12.0)、模擬/混合訊號參考流程2.0版(Analog/Mixed Signal Reference Flow 2.0)等多項最新的客制化設計工具，強化既有的開(kāi)放創(chuàng )新平臺設計生態(tài)環(huán)境。

　　TSMC28納米設計生態(tài)環(huán)境已準備就緒，提供包括設計法則檢查(DRC)、布局與電路比較(LVS)及制程設計套件(PDK)的基礎輔助設計；在基礎硅知識產(chǎn)權方面有標準組件庫(standard cell libraries)及內存編譯程序 (memory compilers)；另外，此設計架構亦提供USB、 PCI與DDR/LPDDR等標準接口硅知識產(chǎn)權?？蛻?hù)可經(jīng)由TSMC-online下載這些設計工具與套件。一直以來(lái)，TSMC與電子設計自動(dòng)化伙伴(EDA)在28納米世代的合作相當緊密，共同追求設計工具的一致性，改善設計結果。目前EDA主要領(lǐng)導廠(chǎng)商Cadence、Synopsys 與Mentor運用于28納米芯片上的可制造性設計統一(United DFM)架構便是一個(gè)很好的例子。

　　TSMC參考流程12.0版新增加許多特色：可應用于透過(guò)硅基板(silicon interposer)及硅穿孔(TSV)技術(shù)制造生產(chǎn)的二點(diǎn)五維與三維集成電路(2.5-D/3-D ICs)、提高28納米以模型為基礎仿真可制造性設計的速度；此參考流程亦可運用在先進(jìn)電子系統階層設計(ESL)，整合TSMC的功率、效能及面積制程技術(shù)。另外，此參考流程版本將首次呈現TSMC20納米穿透式雙重曝影設計(Transparent Double Patterning)解決方案，持續累積在創(chuàng )新開(kāi)放平臺架構下20納米的設計能力。另外，模擬/混合訊號參考流程2.0版本提供先進(jìn)的多伙伴模擬/混合訊號設計流程，協(xié)助處理復雜度與日俱增的28納米制程效能與設計挑戰，并解決在高階可制造性設計(Superior DFM)與設計規范限制(RDR)間兼容性及可靠性問(wèn)題。

　　TSMC設計暨技術(shù)平臺處資深處長(cháng)侯永清表示：「我們相信客戶(hù)能立即運用TSMC28納米先進(jìn)技術(shù)及產(chǎn)能優(yōu)勢來(lái)生產(chǎn)他們的設計；同時(shí)，客戶(hù)們也能在不久的將來(lái)準備向更先進(jìn)的20納米世代設計邁進(jìn)。通過(guò)與電子自動(dòng)化設計廠(chǎng)商和硅知識產(chǎn)權伙伴間的緊密合作，TSMC已經(jīng)建構了一個(gè)完備且穩固的28納米設計生態(tài)系統，成功地協(xié)助客戶(hù)達成產(chǎn)品設計的目標 。此外，參考流程12.0版及模擬/混合訊號參考流程2.0版的推出亦能解決應用于下一世代28納米與20納米設計上所面臨的關(guān)鍵瓶頸。

　　DAC大會(huì )上的新技術(shù)與設計方案

　　參考流程12.0版及20納米穿透式雙重曝影

　　隨著(zhù)半導體制程技術(shù)向前推進(jìn)，金屬導線(xiàn)厚度愈來(lái)愈小，目前微影曝光系統的曝影能力已無(wú)法因應20納米制程技術(shù)發(fā)展。然而，雙重曝影(double patterning)這項關(guān)鍵技術(shù)，使得現行微影技術(shù)能夠克服成像分辨率的極限，且毋需使用尚未驗證的極紫外光(EUV)微影技術(shù)。TSMC的穿透式雙重曝影解決方案讓系統及芯片設計廠(chǎng)商得以順利邁入20納米技術(shù)，且毋需調整目前的設計方法或參考流程。此項技術(shù)已提供給EDA合作伙伴進(jìn)行相關(guān)產(chǎn)品及服務(wù)開(kāi)發(fā)，并已經(jīng)通過(guò)驗證準備上市。

　　2.5-D 硅基板

　　基本上2.5D芯片的設計是由硅基板將多層芯片整合起來(lái)，此硅基板可應用于不同的技術(shù)。參考流程12.0版在平面規劃(floorplanning)、配置與繞線(xiàn)(Place & Route)、電阻壓降(IR-drop)及熱分析(thermal analysis)上具備新的設計能力，可同時(shí)應用于多個(gè)制程及2.5D芯片測試設計。

　　28納米功率、效能及DFM設計的強化

　　在精細幾何技術(shù)上，電線(xiàn)及通道電阻的時(shí)序降低日益明顯。參考流程12.0版推出強化繞線(xiàn)的方法：將通道數量減到最小、改變繞線(xiàn)布局、或將電線(xiàn)加寬以減輕電線(xiàn)與通道電阻的沖擊。漏電流增加是因為在28納米制程上的臨界電壓(threshold voltage)與閘極氧化層(gate Oxide)厚度增加。多模多角(multi-mode multi-corner)的漏電優(yōu)化可提供不同的電壓選擇與門(mén)極偏壓庫，讓設計者更有效的減少漏電。最后，為了盡量縮短28納米熱點(diǎn)檢查及修正的設計時(shí)間，DFM 數據套件(DDK)加入一具新的「熱點(diǎn)過(guò)濾引擎」以提高model-based可制造性設計分析的速度。

　　模擬/混合訊號參考流程2.0版

　　當設計廠(chǎng)商客制化28納米芯片時(shí)，模擬/混合訊號參考流程2.0版能幫助確保DFM與 RDR之間的兼容性。此參考流程提供正確的設計結構及選擇設定以使用TSMC的PDK與DFM。此外，TSMC將累積所學(xué)的可靠性與生態(tài)系統伙伴合作，共同推出新穎的方法濾除可能的缺陷。TSMC和二十一家開(kāi)放創(chuàng )新平臺生態(tài)系統伙伴將連手展示參考流程12.0版及模擬/混合訊號參考流程2.0版的特性與優(yōu)點(diǎn)。

　　射頻參考設計套件3.0版

　　TSMC將推出最新的射頻設計套件(RF RDK 3.0)給射頻設計廠(chǎng)商使用，該設計套件內建先進(jìn)的硅相關(guān)60GHz毫米波設計套件，也提供客戶(hù)創(chuàng )新的方法，透過(guò)電磁模擬使用自行選擇的電感器進(jìn)行設計。

　　開(kāi)放創(chuàng )新平臺

　　OIP系在芯片設計產(chǎn)業(yè)、TSMC設計生態(tài)系統合作伙伴以及TSMC的硅知識產(chǎn)權、芯片設計與可制造性設計服務(wù)、制程技術(shù)以及后段封裝測試服務(wù)之間加速實(shí)時(shí)創(chuàng )新。它擁有多個(gè)互通的設計生態(tài)系統接口以及由TSMC與合作伙伴協(xié)同開(kāi)發(fā)出的構成要素，這些構成要素系由TSMC主動(dòng)發(fā)起或提供支持。透過(guò)這些接口以及基本組件，可以更有效率地加速整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)供應鏈每個(gè)環(huán)節的創(chuàng )新，并促使整個(gè)產(chǎn)業(yè)得以創(chuàng )造及分享更多的價(jià)值。此外，TSMC的AAA-主動(dòng)精準保證機制(Active Accuracy Assurance Initiative)是開(kāi)放創(chuàng )新平臺中的另一重要關(guān)鍵，能夠確保上述接口及基本組件的精確度及質(zhì)量。