Microsemi太陽(yáng)能技術(shù)產(chǎn)品系列開(kāi)始供貨
—— 產(chǎn)品在光伏應用中實(shí)現高效、可靠和成本優(yōu)勢
加入技術(shù)交流群
由于傳導損耗則在總體系統損耗方面占據主導地位，新型MOS 8™ IGBT已經(jīng)針對低工作頻率(10 KHz — 30 KHz)而優(yōu)化。MOS 8 PT IGBT產(chǎn)品系列則在2.0 V (600 VBR(CES)) 和2.5 V (900 VBR(CES))下提供低傳導損耗特性。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/117909.htm美高森美除了提供具有多種功率模塊電氣和機械配置的功率半導體產(chǎn)品之外，還提供IGBT、MOSFET和FRED，推動(dòng)實(shí)現更高效的新型轉換器拓撲，如三級逆變器、交錯式PFC升壓轉換器及矩陣轉換器。
此外，美高森美不斷擴大的DC/DC產(chǎn)品系列支持高達40V的輸入電壓，以及最高40A的廣泛輸出電流范圍。該系列器件包括內置功率FET的開(kāi)關(guān)調節器，以及采用外部功率FET并可在最高2 MHz頻率下運作的控制器。
· FPGA用于功率監控
SmartFusion智能混合信號FPGA在單一IC平臺上集成了模擬前端、嵌入式ARM Cortex-M3處理器和可編程邏輯資源。這一靈活性為設計人員提供了開(kāi)發(fā)低功耗的可適配平臺的能力，能夠精確地監控實(shí)時(shí)負載數據，同時(shí)滿(mǎn)足多種安全連接性協(xié)議的要求。
評論