2013 年前使用憶阻器的記憶裝置將上市

　　HP 關(guān)于憶阻器的發(fā)現在 2008 年時(shí)發(fā)表于「自然」期刊，2009 年證明了 Cross Latch 的系統很容易就能堆棧，形成立體的內存。目前的技術(shù)每個(gè)電線(xiàn)間的「開(kāi)關(guān)」大約是 3nm x 3nm 大，開(kāi)關(guān)切換的時(shí)間約在 1ns 左右，整體的運作速度約是 DRAM 的 1/10 -- 還不足以取代 DRAM，但是靠著(zhù) 1 cm? 100 gigabit， 1cm? 1 petabit(別忘了它是可以堆棧的)的驚人潛在容量，干掉閃存是綽綽有余的。

　　但是 Crossbar Latch 可不止用來(lái)儲存數據而已。它的網(wǎng)格狀設計，和每個(gè)交叉點(diǎn)間都有開(kāi)關(guān)，意味著(zhù)整組網(wǎng)格在某些程度上是可以邏輯化的。在原始的 Crossbar Latch 論文中就已經(jīng)提到了如何用網(wǎng)格來(lái)模擬 AND、OR 和 NOT 三大邏輯閘，幾個(gè)網(wǎng)格的組合甚至可以做出加法之類(lèi)的運算。這為擺脫晶體管進(jìn)到下一個(gè)世代開(kāi)了一扇窗，很多人認為憶阻器電腦相對于晶體管的躍進(jìn)，和晶體管相對于真空管的躍進(jìn)是一樣大的。另一方面，也有人在討論電路自已實(shí)時(shí)調整自已的狀態(tài)來(lái)符合運算需求的可能性。這點(diǎn)，再搭配上憶阻器的記憶能力，代表著(zhù)運算電路和記憶電路將可同時(shí)共存，而且隨需要調整。這已經(jīng)完全超出了這一代電腦的設計邏輯，可以朝這條路發(fā)展下去的話(huà)，或許代表著(zhù)新一代的智慧機器人的誕生。

　　不過(guò)這些都是未來(lái)的事了。HP 的目標訂的還算含蓄，只答應在 2013 年時(shí)，生產(chǎn)出與當世代的 Flash 同等價(jià)格，但兩倍容量的憶阻器記憶裝置。對大部份人來(lái)說(shuō)，這個(gè)轉變會(huì )是相當低調的 -- 就像芯片制程已經(jīng)一步步地降到了 24nm，但是對一般人來(lái)說(shuō)，CPU 或是內存、隨身碟一直都長(cháng)那個(gè)樣子，沒(méi)有在變。只是在里面，憶阻器和 Crossbar Latch 的組合代表的是電腦科技的全新進(jìn)展，或許能讓我們再一次延續摩爾定律的生命，朝向被機器人統治的未來(lái)前進(jìn)。